[发明专利]垂直结构半导体器件有效
| 申请号： | 201010134445.0 | 申请日： | 2005-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101901858A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 刘明哲 | 申请（专利权）人： | 沃提科尔公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L29/737;H01L29/778;H01S5/02;H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造具有提高的光输出的新的垂直结构化合物半导体器件的可靠方法以及一种用于大规模生产GaN基化合物半导体器件的激光剥离工艺。本发明的主旨在于在LLO之前，通过电镀法来采用直接金属支撑衬底沉积，以形成n侧顶部垂直结构。此外，紧接着p接触层采用ITO DBR层，以通过更高的反射率提高光输出。穿孔金属晶片载体也用于晶片键合，用以容易地处理以及松解。相比于传统LLO基垂直器件制造，新的制造工艺更可靠。与通过相同的GaN/InGaN外延膜制造的横向器件的光输出相比，具有n侧上部结构的新的垂直器件的光输出增加了2或3倍。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包括：第一缓冲层，包括GaN和AlN中的至少一个；第二缓冲层，包括AlGaN；包括n-GaN的层；包括AlInGaN的层；以及包括p-GaN的层。
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- 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子技术领域。该外延片包括衬底和依次层叠在衬底上的缓冲层、u型GaN层、应力释放层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层和p型GaN层，应力释放层包括InN层和第二InGaN层，由于InN层和第二InGaN层的晶格比u型GaN层的晶格大，因此应力释放层可以对u型GaN层产生方向平行u型GaN层的表面且向外的张力，同时由于InN层的晶格大于第二InGaN层的晶格，通过交替生长InN层和第二InGaN层，可以使应力释放层对u型GaN层的张力随着交替生长的次数的增大而逐渐增大，从而逐渐降低外延片的翘曲，最终应力释放层的表面会逐渐趋于平坦。
- 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法-201811376957.0
- 陶章峰;乔楠;余雪平;程金连;胡加辉 - 华灿光电（浙江）有限公司
- 2018-11-19 - 2019-06-07 - H01L33/12
- 本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于GaN基发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括：衬底、在所述衬底上顺次沉积的缓冲层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、低温应力释放层、多量子阱层、低温P型GaN层、电子阻挡层、高温P型GaN层、以及P型接触层，所述多量子阱层包括若干层叠的阱垒层，所述阱垒层包括量子阱层和量子垒层，所述量子阱层包括第一InGaN层，所述量子垒层包括顺次层叠的第一AlInGaN层、GaN层、以及第二AlInGaN层，靠近所述低温应力释放层的阱垒层中的量子阱层与所述低温应力释放层接触。
- 半导体结构-201510224693.7
- 郑季豪;黄吉丰;杜升翰 - 新世纪光电股份有限公司
- 2015-05-06 - 2019-06-04 - H01L33/12
- 本发明提供一种半导体结构，包括基板、第一未掺杂半导体层、第二未掺杂半导体层以及至少一掺杂中间层。第一未掺杂半导体层配置于基板上。第二未掺杂半导体层配置于第一未掺杂半导体层上。掺杂中间层配置于第一未掺杂半导体层与第二未掺杂半导体层之间。掺杂中间层的化学通式为InxAlyGa1‑x‑yN，且0≤x≤1，0≤y≤1。因此，本发明提供的半导体结构能减少晶格差排在厚度方向上的延伸现象且能降低缺陷密度，并改善材料在成长过程中的翘曲情形。
- 一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构及其制备方法-201910178462.5
- 方志来;吴征远;田朋飞;闫春辉;张国旗 - 深圳第三代半导体研究院
- 2019-03-11 - 2019-05-31 - H01L33/12
- 本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构及其制备方法，包括：步骤1：采用非对称岛生长方法在衬底上生长半极性氮化镓薄膜模板；步骤2：在制备的半极性氮化镓薄膜模板上生长半极性铟镓氮二维超薄层结构。该方法可避免应力释放形成高密度穿透缺陷、铟团聚、相分离，增强有源区内载流子隧穿，增加电子与空穴空间交叠，并改变载流子密度分布，有效提高辐射复合效率，改善现有黄绿光LED发光效率较低的问题，增强探测器与太阳能电池光生载流子分离能力。
- 一种发光二极管外延片的制造方法-201811502838.5
- 姚振;从颖;胡加辉;李鹏 - 华灿光电（浙江）有限公司
- 2018-12-10 - 2019-05-21 - H01L33/12
- 本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。方法包括：提供一衬底；将衬底放入物理气相沉积设备中，采用物理气相沉积法在衬底上沉积AlN缓冲层；控制AlN缓冲层的沉积电压为100～500V，AlN缓冲层的沉积时间为10～60s，使AlN缓冲层的翘曲度为‑10～‑60um；在AlN缓冲层上依次生长未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型层。AlN缓冲层的翘曲度在特定范围，会驰豫一部分固有的内部应力，相当于有源层的阱层中的部分压应力可以在AlN缓冲层得到释放，从而使得阱层中的压应力减小。阱层中的压应力减小，有利于阱层中富In发光中心的形成，从而可以提高LED的发光效率。
- 专利分类
