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[发明专利]一种功率二极管的制备方法-CN202310716753.1在审
发明人：马昆旺;邹声斌;贺卫群;马野;刘恒山 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体的制备方法，具体涉及一种功率二极管的制备方法。该制备方法，包括以下步骤：S1：在衬底上依次生长缓冲层、GaN layer层、GaN层、AlGaN层、轻掺杂GaN层和重掺杂GaN层，得到外延片；S2：刻蚀使部分AlGaN层裸露，在重掺杂GaN层上制备阴极电极；在裸露的AlGaN层上制备阳极电极。采用该方法制备得到的功率二极管兼顾了水平结构的高导通和垂直结构的高击穿，一方面调整了电子的空间分布，实现水平方向和垂直方向的快速导通，另一方面有效利用了高质量GaN提高抗击穿能力，实现更广阔的应用场景。
一种功率二极管制备方法

[实用新型]一种低应力的GaN基LED外延片-CN202320199897.X有效
发明人： 贺卫群;刘恒山;马昆旺;邹声斌;马野 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种低应力的GaN基LED外延片，包括衬底、应力抵消层和GaN基的外延层；所述应力抵消层设置在衬底的反面，所述外延层设置在衬底的正面；所述应力抵消层的热膨胀系数小于外延层的热膨胀系数；所述应力抵消层的厚度为0.01μm‑0.2μm；所述应力抵消层的导热系数大于80W/m·K。本实用新型的有益效果在于：本实用新型提供的低应力的GaN基LED外延片中，在LED外延片受热膨胀时，外延层对衬底的施加的力与应力抵消层对衬底施加的力相反，故而设置应力抵消层能使LED外延片中的应力互相抵消。
一种应力 gan led 外延

[发明专利]一种GaN基Mini LED外延结构及制备方法-CN202310452672.5在审
发明人：马昆旺;唐乐星;邹声斌;贺卫群;刘恒山 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电器件以及半导体显示制造领域，尤其涉及一种GaN基Mini LED外延结构及制备方法。该制备方法，生长有源区多量子阱层时，设定反应腔的温度为800～950℃、阱垒温差为100～150℃，交替生长势阱层和势垒层；生长所述势阱层时，反应腔的压力为100～190Tor、转速为300～500r/min、载气为H2；生长所述势垒层时，反应腔的压力为200～400Tor,转速为600～700r/min。该制备方法采用慢速长阱快速长垒的方法生长有源区多量子阱层，可有效缓解斯塔克效应，减少应力并提高了发光效率。
一种 gan mini led 外延结构制备方法

[发明专利]一种高光效高ESD的倒装绿光外延结构的制备方法-CN202310234725.6在审
发明人：马昆旺;马野;邹声斌;贺卫群;刘恒山 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电器件以及半导体显示制造技术领域，尤其涉及一种一种高光效高ESD的倒装绿光外延结构的制备方法。该制备方法，在AlN衬底上依次生长AlGaN/GaN缓冲层、高温非掺杂型UGaN层、高温掺杂型NGaN层、N‑AlGaN层、多周期Si掺杂N‑GaN层、超晶格InGaN/GaN应力释放层、U型电子减速层、多量子阱有源区层、GaN/Aly1Ga1－y1N层、Mg掺杂第一p‑GaN层、p‑AlGaN层和第二p‑GaN层；通过在应力释放层及多量子阱有源区层之间加了层U型(无掺Si)电子减速层，提升内量子阱发光效率以及绿光外延结构的ESD。
一种高光效高 esd 倒装外延结构制备方法

[发明专利]一种MOCVD机的维护方法-CN202310112002.9在审
发明人： 贺卫群;刘恒山;马昆旺;邹声斌;马野 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种MOCVD机的维护方法，包括如下步骤：S1：高温烘烤反应腔；S2：按照LED生产工作所需流量，向反应腔中通入TMGa、NH3和TMAl；随后，向反应腔中通入Mg源；本发明的有益效果在于：所述S2中将在反应腔的内壁上形成AlGaN层，随后向反应腔通入Mg源，使Mg元素掺杂在AlGaN层中，并使Mg元素的掺杂浓度接近饱和；以此改变反应腔中的氛围；在这种氛围的反应腔中生产LED，Mg源中的Mg元素将准确掺杂在LED的P型GaN层中，并有利于准确控制P型GaN层中的Mg的掺杂浓度，以及有利于提高Mg的掺杂浓度，提高了LED的性能。
一种 mocvd 维护方法

[发明专利]一种MOCVD腔体保养恢复方法-CN202310168059.0在审
发明人：马野;马昆旺;刘恒山;宋水燕;贺卫群 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种MOCVD腔体保养恢复方法，包括如下步骤：S2：设定反应腔温度1000℃‑1200℃，压力150Torr‑300Torr，持续30‑60分钟；S3：向反应腔中通入三乙基镓和CP2Mg，持续15‑30分钟；S4：向反应腔中通入三乙基镓和CP2Mg；持续60‑90分钟；本发明的有益效果在于：本发明中的将烘烤温度以及时间设置在适合清除反应腔的薄膜中容易掺Mg的杂质的区间内。故本发明的方法使用更少的工序以及更少的时间使后续生产的LED芯片中的Mg的掺杂浓度得到更多的提高，进而使生产LED芯片的工序使用更少的成本而得到质量尽可能高的LED芯片。
一种 mocvd 保养恢复方法

[发明专利]一种提升LED芯片反向电压的GaN基外延层生长方法-CN202310168083.4在审
发明人：邹声斌;刘恒山;贺卫群;马野;宋水燕 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种提升LED芯片反向电压的GaN基外延层生长方法，包括如下步骤：S3：设定反应腔温度750‑850度，压力150‑350mbar，通入60000‑75000sccm的NH3、5000‑20000sccm的H2和60000‑80000sccm的N2，通入500‑1500sccm的TeGa，间歇性通入100‑500sccm的TMIn，使N型GaN层上生长出应力释放层。所述S3使LED芯片的应力释放层，通过变In含量及通入少量的H2，这种方法提升了应力释放层的界面处理，改善多量子阱有源区层的应力和缺陷密度，从而提升LED芯片反向电压。
一种提升 led 芯片反向电压 gan 外延生长方法

[发明专利]提升LED芯片老化后抗静电能力的GaN基外延层生长方法-CN202310150412.2在审
发明人：马昆旺;马野;邹声斌;贺卫群;刘恒山 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体电子技术领域，具体涉及一种提升LED芯片老化后抗静电能力的GaN基外延层生长方法。该生长方法将AlN衬底放入反应腔中，依次生长buffer层、U型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源区层、低温P型GaN层、p型AlGaN超晶格层和高温P型GaN层；再在高温P型GaN层上生长厚度为5～10nm的电流扩展层，得到GaN基外延层；该方法制备得到P‑InGaN/MgN/GaN超晶格电流扩展层，可改善了外延层的P型磊晶质量，提升了大电流扩展及老化后LED的抗静电能力。
提升 led 芯片老化抗静电能力 gan 外延生长方法

[发明专利]一种提高外延结晶质量的外延方法-CN202211578289.6在审
发明人： 贺卫群;刘恒山;马昆旺;邹声斌 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种提高外延结晶质量的外延方法，包括如下步骤：S3：使用511溶剂清洗AIN层，所述511溶剂为硫酸、过氧化氢与纯水按摩尔数5：1：1的比例混合而成；S4：将上述步骤得到的结构放入清洗机，使用去离子水清洗；S5：将上述步骤得到的结构放入甩干机甩干；S6：对上述步骤得到的结构进行退火。本发明的有益效果在于：本发明提供的提高外延结晶质量的外延方法能解决衬底与外延层晶格失配的问题，提高LED芯片质量。
一种提高外延结晶质量方法

[发明专利]一种高ESD的Mini LED的外延结构生成方法-CN202211606157.X在审
发明人： 贺卫群;刘恒山;马昆旺;邹声斌 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种高ESD的Mini LED的外延结构生成方法，包括如下步骤：S2：在多量子阱有源区层上生长的第一静电释放层，在第一静电释放层上生长第二静电释放层，在第二静电释放层上生长第三静电释放层；所述第二静电释放层的Mg掺杂浓度为1.1‑5E+16atom/cm3，第一静电释放层的Mg掺杂浓度是第三静电释放层Mg掺杂浓度的1.1‑5倍，第二静电释放层的Mg掺杂浓度是第一静电释放层的Mg掺杂浓度的0.1％‑2％；本发明的原理或有益效果说明：由于Mini LED相比于常规LED尺寸减小的情况下，ESD性能显得尤为重要，本发明提供的高ESD的Mini LED的外延结构生成方法，能显著的提高Mini LED的ESD性能。
一种 esd mini led 外延结构生成方法

[实用新型]一种紫外发光二极管外延结构-CN201921032380.1有效
发明人：农明涛;庄家铭;贺卫群;郭嘉杰;仇美懿 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紫外发光二极管外延结构，包括依次设于衬底上的AlN层、过渡层、N型AlGaN(0.01＜z＜0.99)层、有源层、阻挡层和P型AlGaN层，所述过渡层由若干个周期的AlN/AlGaN(0.01＜u＜0.99)超晶格结构组成。本实用新型通过在AlN层和N型AlGaN层之间形成一层过渡层，以将晶格失配产生的应力在过渡层逐步释放，从而避免AlN层发生龟裂问题，AlN层的质量得到提升，位错和缺陷会大幅减少，从而提升外延结构的晶体质量，进而改善发光效率。
一种紫外发光二极管外延结构

[实用新型]一种紫外发光二极管外延结构-CN201921197372.2有效
发明人：农明涛;庄家铭;贺卫群;郭嘉杰 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紫外发光二极管外延结构，所述外延结构包括依次设于衬底上的AlN层、N型AlGaN层、有源层、P型超晶格阻挡层和P型GaN层，所述P型超晶格阻挡层由第一非掺杂层、第一Mg层、第二非掺杂层和第二Mg层交替形成，第一非掺杂层中Al的含量与第二非掺杂层中Al的含量不等。本实用新型在有源层和P型GaN层之间设置一层P型超晶格阻挡层，不仅起到阻挡电流，提高电流扩展的作用，还可以提高P型GaN层的空穴浓度及其迁移率，为有源层提供更多的空穴‑电子对，提高复合几率，提升亮度，从而提高外延结构的光电性能。
一种紫外发光二极管外延结构

[实用新型]一种白光发光二极管外延结构-CN201920979413.7有效
发明人：农明涛;庄家铭;贺卫群;祝邦瑞;郭嘉杰 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种白光发光二极管外延结构，所述外延结构包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、阻挡层和P型GaN层，所述有源层包括若干个周期的量子阱结构，所述量子阱结构包括若干个蓝光量子阱层、若干个黄光量子阱层和一个GaN量子垒层，所述外延结构在预设驱动电流下激发出黄光和蓝光。本实用新型外延结构自身可发出白光，不需要添加荧光粉。此外，本实用新型外延结构制作而成的LED芯片的响应时间快、使用寿命时间长。
外延结构本实用新型量子阱结构源层荧光粉白光发光二极管黄光量子阱蓝光量子阱应力释放层量子垒层驱动电流使用寿命依次设置缓冲层阻挡层白光衬底黄光蓝光预设激发响应制作

[发明专利]一种硅衬底GaN基外延结构的制备方法及外延结构-CN201910922529.1在审
发明人：郭嘉杰;农明涛;庄家铭;贺卫群;仇美懿 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅衬底GaN基外延结构的制备方法，其包括：在硅衬底表面依次形成Al原子、AlN层、Al
势垒电子阻挡层硅衬底价带空穴辐射复合效率硅衬底表面本征GaN层尖峰超晶格层晶格失配量子阱区作用增强呈递层厚度大应变缓冲层极化场量子阱导带减小垒层制备溢出升高阻挡引入阻碍

[发明专利]一种紫外发光二极管外延结构及其制作方法-CN201910595294.X在审
发明人：农明涛;庄家铭;贺卫群;郭嘉杰;仇美懿 -专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外发光二极管外延结构及其制作方法，所述外延结构包括依次设于衬底上的AlN层、过渡层、N型Al_zGa_1‑zN(0.01＜z＜0.99)层、有源层、阻挡层和P型AlGaN层，所述过渡层由若干个周期的AlN/Al_uGa_1‑uN(0.01＜u＜0.99)超晶格结构组成。本发明通过在AlN层和N型Al_zGa_1‑zN层之间形成一层过渡层，以将晶格失配产生的应力在过渡层逐步释放，从而避免AlN层发生龟裂问题，AlN层的质量得到提升，位错和缺陷会大幅减少，从而提升外延结构的晶体质量，进而改善发光效率。
外延结构过渡层紫外发光二极管超晶格结构发光效率龟裂问题晶格失配阻挡层衬底位错源层制作释放

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