[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010116603.X | 申请日： | 2010-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN101814523A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张正宏;许育荣;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/44;H01L21/306 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中制造方法包括：在基底中形成隔离区域以形成有源区域，其中该有源区域的侧壁被该隔离区域围住；蚀凹该隔离区域以露出该有源区域的侧壁的第一部分；以间隔物覆盖该有源区域的侧壁的第一部分；蚀刻该隔离区域以露出该有源区域的侧壁的第二部分，该第二部分设置在该第一部分的下方；蚀刻该有源区域穿过该侧壁露出的第二部分以形成横向开口；以及以旋涂式介电质填充该横向开口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，包括：在基底中形成隔离区域以形成有源区域，其中该有源区域的侧壁被该隔离区域围住；蚀凹该隔离区域以露出该有源区域的侧壁的第一部分；以间隔物覆盖该有源区域的侧壁的第一部分；蚀刻该隔离区域以露出该有源区域的侧壁的第二部分，该第二部分设置在该第一部分的下方；蚀刻该有源区域穿过该侧壁露出的第二部分以形成横向开口；以及以旋涂式介电质填充该横向开口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010116603.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
