[发明专利]用于半导体元件的支撑体、半导体元件和用于制造支撑体的方法有效
申请号: | 200980143733.8 | 申请日: | 2009-10-22 |
公开(公告)号: | CN102203940A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | M·齐茨尔斯佩格;S·米策尔 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L31/0203;H01L33/48 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 汤春龙;朱海煜 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种用于半导体元件、尤其是用于光电半导体元件的支撑体。所述支撑体具有连接层和导体层,所述连接层和导体层通过朝向彼此的主面彼此连接。所述连接层、所述导体层或不仅连接层而且导体层具有至少一个变薄的区域,所述导体层和连接层在所述区域中的层厚度小于所述导体层和连接层的最大层厚度。所述连接层完全能导电并且至少相对于导体层的部分电绝缘,或者所述连接层至少部分地电绝缘。此外本发明提出一种具有电连接导体的半导体元件以及用于制造这种支撑体的方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 元件 支撑 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种用于半导体元件的支撑体,所述支撑体具有能导电的导体层和连接层,所述导体层和连接层通过朝向彼此的主面彼此连接,其中所述连接层完全能导电并且至少相对于所述导体层的部分电绝缘或者所述连接层至少部分地电绝缘,其中所述导体层、所述连接层或不仅所述导体层而且所述连接层具有至少一个变薄的区域,所述导体层和连接层在所述至少一个变薄的区域中的层厚度小于所述导体层和连接层的最大层厚度。
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