[发明专利]用于半导体元件的支撑体、半导体元件和用于制造支撑体的方法

权利要求书

1.一种用于半导体元件的支撑体，所述支撑体具有能导电的导体层和连接层，所述导体层和连接层通过朝向彼此的主面彼此连接，其中所述连接层完全能导电并且至少相对于所述导体层的部分电绝缘或者所述连接层至少部分地电绝缘，其中所述导体层、所述连接层或不仅所述导体层而且所述连接层具有至少一个变薄的区域，所述导体层和连接层在所述至少一个变薄的区域中的层厚度小于所述导体层和连接层的最大层厚度。

2.根据权利要求1所述的支撑体，所述支撑体具有第一侧，其中在所述第一侧上，封装料成形到所述导体层和所述连接层上，所述封装料具有硅酮。

3.根据权利要求2所述的支撑体，所述支撑体具有与所述第一侧对置的第二侧，其中所述导体层在所述第二侧上在这样的区域中至少部分地没有所述封装料和电绝缘材料，其中在所述第一侧上，封装料成形到所述导体层上。

4.根据前述权利要求中任一项所述的支撑体，其中，所述导体层具有至少两个彼此电绝缘的部分，所述部分形成用于半导体元件的第一电连接导体和第二电连接导体，以及所述部分借助所述连接层的至少一个部分彼此机械连接。

5.根据前述权利要求中任一项所述的支撑体，其中，所述导体层是第一引线框的一部分，所述连接层是第二引线框的一部分，以及所述两个引线框电绝缘地彼此连接。

6.根据前述权利要求中任一项所述的支撑体，其中，不仅所述导体层而且所述连接层分别具有至少一个变薄的区域，所述导体层和连接层在所述至少一个变薄的区域中的层厚度小于所述导体层和连接层的最大层厚度，以及尤其是，所述导体层的所述变薄的区域横向地与所述连接层的所述变薄的区域重叠。

7.根据前述权利要求中任一项所述的支撑体，其中，所述连接层和/或所述导体层具有缺口和邻接所述缺口的变薄的区域。

8.根据前述权利要求中任一项所述的支撑体，其中，所述连接层具有缺口以及所述导体层具有变薄的区域，以及所述缺口横向地与所述导体层的所述变薄的区域重叠。

9.根据前述权利要求中任一项所述的支撑体，其中，所述连接层具有缺口和邻接所述缺口的部分，所述部分横向地超过所述导体层的一部分，其中在所述部分之间的区域没有支撑体的材料。

10.根据前述权利要求中任一项所述的支撑体，其中，在一边缘上存在所述连接层的一部分，所述部分横向地超过所述导体层的一部分，并且在所述部分之间的区域没有支撑体的材料。

11.根据前述权利要求中任一项所述的支撑体，其中，在所述导体层的一部分上设置有芯片安装区域，以及所述连接层在所述芯片安装区域的侧上跟随所述导体层，尤其是存在至少一个内壁，所述内壁的主延伸面倾斜于所述支撑体的主延伸面或电连接导体的导体层分布并且与所述主延伸面相比朝向所述芯片安装区域倾斜。

12.根据前述权利要求中任一项所述的支撑体，其中，所述导体层和所述连接层借助连接介质彼此连接。

13.一种具有根据前述权利要求中任一项所述的支撑体的半导体元件，其中，所述导体层在第一侧上设有半导体芯片和封装料，所述封装料包围所述半导体芯片并且成形到所述支撑体上。

14.根据权利要求13所述的半导体元件，其中，所述导体层在与所述第一侧对置的第二侧上在横向地与所述封装料和/或与所述封装料和所述半导体芯片重叠的区域中没有封装料和电绝缘材料。

15.一种用于制造支撑体的方法，所述方法包括下述步骤：

准备导体层和连接层，所述导体层和所述连接层分别具有两个彼此背离的主面；

通过所述导体层和所述连接层的两个主面以下述方式连接所述导体层与所述连接层，即所述主面朝向彼此，其中所述连接层能导电并且相对于所述连接层电绝缘或者所述连接层电绝缘；

在所述导体层、所述连接层或者不仅所述导体层而且所述连接层中形成至少一个变薄的区域，在所述至少一个变薄的区域中相应层的层厚度小于其最大层厚度。