[发明专利]用于半导体元件的支撑体、半导体元件和用于制造支撑体的方法

说明书

本专利申请要求德国专利申请10 2008 053 489.7的优先权，通过相关参考引入其公开内容。

技术领域

本发明涉及一种适用于半导体元件的支撑体，以及用于制造支撑体的方法。此外给出一种具有支撑体的半导体元件。

背景技术

为了制造半导体元件通常使用所谓的引线框。引线框的另一种说法例如是导体框架(Leiterrahmen)。引线框具有用于电子元件例如半导体元件的电连接导体。电连接导体例如借助引线框的框架连接或保持在该引线框中。引线框通常至少基本上由冲压的铜片制成。引线框一般可以称为金属板，在该金属板中借助凹部构成电连接导体。

在制造已知的半导体元件时，引线框通常利用塑料制成的基础壳体改成。基础壳体形成用于半导体芯片的支撑体。基础壳体至少具有通过引线框形成的第一电连接导体和第二电连接导体。随后，安装在基础壳体上或安装在基础壳体内的芯片例如利用封装料(Kapselmasse)包封。电连接导体例如侧向地在彼此相反的侧上从基础壳体的塑料部分伸出。

发明内容

本发明的目的是，给出一种用于半导体元件的支撑体，该支撑体可以在很多方面使用和/或与传统的支撑体相比能以技术上更为简单的方式制造。此外，应给出特别有利的具有这种支撑体的半导体元件以及用于制造这种支撑体或半导体元件的方法。

本发明给出一种用于半导体元件、尤其是用于光电半导体元件的支撑体。该支撑体尤其适合承载元件的至少一个半导体主体。该支撑体尤其设置成半导体元件的壳体的组成部分。

所述支撑体具有能导电的导体层和连接层，所述导体层和连接层通过朝向彼此的主面彼此连接。所述导体层、连接层或不仅导体层而且连接层具有至少一个变薄的区域，所述导体层和连接层在所述变薄的区域中的层厚度小于所述导体层和连接层的最大层厚度。

该连接层在其完全能导电的情况下至少相对于导体层的部分电绝缘。

根据另一种实施方式，该连接层至少部分地电绝缘。这就是说，连接层的一部分能导电或整个连接层电绝缘。

不仅支撑体而且导体层和连接层本身尤其是自承载的或无承载的元件，这就是说它们尤其在没有其它材料的状态下是形状稳定的并且可以在其形状保持不变的情况下这样地移动和输送。

镀层、例如施加在材料面上的透明的、能导电的氧化物的薄层或者薄的金属镀层、塑料镀层本身不属于术语“连接层”或“导体层”的范畴。当如下情况时尤其是这样：下述形式的镀层由于缺乏形状稳定性会不适合于通常处理，即在该形式中镀层不是施加在其它材料上，而是没有其它材料。然而这种镀层可以是连接层的部分和/或导体层的部分，只要连接层和导体层本身分别是无承载的或自承载的元件。

根据一种有利的实施方式，不仅连接层而且导体层的最大厚度都是至少50μm、优选至少80μm或至少90μm。这就是说，导体层和/或连接层必须在至少一个位置上的厚度至少与所给出的厚度之一一样大，其中垂直于导体层的主延伸面测量所述厚度。导体层和连接层可以具有不同的厚度。

根据至少一种实施方式，所述连接层、导体层或者不仅连接层而且导体层是金属板或者具有金属板。

导体层和连接层分别包括带彼此对置的主面的平整形状，所述形状通过侧面彼此连接。所述侧面分别小于主面。

通过如下措施：构造至少带有以连接层和导体层的形式的两个部件的支撑体并且设置所述层中的至少一个具有变薄的区域的层，支撑体的性能形成为超过传统性能，例如能作为用于半导体芯片的载体和仅具有电连接导体。

术语“变薄的区域”未暗含确定的用于形成这种区域的制造方法。有利地，基于导体层和/或连接层能有利地以恒定的厚度例如通过例如借助蚀刻去除材料或者通过压印(Einpaegen)来制造变薄的区域。然而这不一定是必需的。相应层例如可以一开始就构造为具有较薄和较厚的区域。

“变薄的区域”一般以下述方式定义，即其中导体层的层厚度小于其最大层厚度，而与制造方法无关。有利地，变薄的区域的厚度比导体层的最大厚度至少小10％、至少小25％或者至少小35％。例如变薄的区域的厚度小于导体层的最大厚度的约40％、约50％或者约60％。

根据支撑体的至少一种实施方式，所述连接层是第一引线框的一部分，所述导体层是第二引线框的一部分。所述两个引线框彼此电绝缘地连接。如开头所述，还可称为导体框架的引线框是金属板，在该金属板中含有多个用于半导体元件的电连接导体，其中电连接导体在金属板中通过在该板中的相应的凹部设计和成形。术语“引线框”为本领域技术人员所熟知，尤其是光电子学领域的技术人员。