[发明专利]AlN块状单晶、使用该单晶的半导体装置和生产该单晶的方法有效
| 申请号： | 200980119077.8 | 申请日： | 2009-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102046857A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 永田俊郎;阿尔博瑞特·文纳克尔;鲍里斯·M·爱普鲍姆;马提亚·柏克曼恩;奥克塔维安·菲利普;保罗·黑曼恩 | 申请（专利权）人： | 杰富意矿物股份有限公司;埃尔朗根-纽伦堡弗里德里希·亚历山大大学;克里斯塔尔-N股份公司 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B23/06 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;阴亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的为提供即使将不同于AlN的单晶材料充当晶体，具有较少缺陷和高品质AlN块状单晶、制备该AlN块状单晶的方法和半导体装置。其特征为将相对于C面以10°到80°的角度倾斜的面选择充当晶种(1)(图1(a))的六方单晶基板的表面(1a)并且AlN单晶(2)通过升华方法(图1(b))生长在作为生长面(2a)的表面(1a)上。 | ||
| 搜索关键词： | aln 块状 使用 半导体 装置 生产 方法 | ||
【主权项】：
用于制备AlN块状单晶的方法，其包括通过利用升华方法在充当晶种的六方单晶材料的表面上生长AlN单晶来提供AlN块状单晶的步骤，所述表面为相对于C面以10°到80°的角度倾斜的晶面。
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