[发明专利]AlN块状单晶、使用该单晶的半导体装置和生产该单晶的方法有效
| 申请号： | 200980119077.8 | 申请日： | 2009-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102046857A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 永田俊郎;阿尔博瑞特·文纳克尔;鲍里斯·M·爱普鲍姆;马提亚·柏克曼恩;奥克塔维安·菲利普;保罗·黑曼恩 | 申请（专利权）人： | 杰富意矿物股份有限公司;埃尔朗根-纽伦堡弗里德里希·亚历山大大学;克里斯塔尔-N股份公司 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B23/06 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;阴亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | aln 块状 使用 半导体 装置 生产 方法 | ||
【权利要求书】：
1.用于制备AlN块状单晶的方法，其包括通过利用升华方法在充当晶种的六方单晶材料的表面上生长AlN单晶来提供AlN块状单晶的步骤，所述表面为相对于C面以10°到80°的角度倾斜的晶面。
2.如权利要求1所述的用于制备AlN块状单晶的方法，其中所述六方单晶材料为AlN、SiC、GaN或ZnO。
3.如权利要求2所述的用于制备AlN块状单晶的方法，其中所述六方单晶为SiC基板并且所述SiC基板的表面为(01-15)面。
4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的用于制备AlN块状单晶的方法，其中所提供的AlN块状单晶的生长面为(10-12)面。
5.如权利要求1至4中任一权利要求所述的用于制备AlN块状单晶的方法，其还包括通过利用升华方法在所提供的充当新晶种的AlN块状单晶的表面上生长AlN块状单晶来提供另一AlN块状单晶的步骤。
6.AlN块状单晶，其通过权利要求1至5中任一权利要求所述的方法制备，并且其直径为20mm或20mm以上，厚度为2mm或2mm以上，以及缺陷密度为1.0×106/cm2或1.0×106/cm2以下。
7.使用权利要求6所述的AlN块状单晶的半导体装置。
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