[实用新型]半导体芯片模块无效
| 申请号： | 200920166346.3 | 申请日： | 2009-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN201478290U | 公开（公告）日： | 2010-05-19 |
| 发明（设计）人： | 刘台徽 | 申请（专利权）人： | 太聚能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/48;H01L23/482;H01L23/495;H01L31/048;H01L31/0203;H01L31/0224;H01L23/02;H01L31/052;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体芯片模块，包含具有内缘及外缘的导电框架，该内缘定义开口；可挠性排线，具有导体层，该导体层电性接触该导电框架的该外缘；半导体芯片，定义前侧及后侧，该半导体芯片具有分别位于该前侧及该后侧的第一电极及第二电极，其中该第一电极连接该导电框架的该内缘以使该半导体芯片位于该导电框架下方，该半导体芯片则暴露于该开口中。本实用新型可避免已知封胶老化破裂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 模块 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片模块，其特征在于，该半导体芯片模块包含：导电框架，具有内缘及外缘，该内缘定义开口；可挠性排线，具有导体层，该导体层电性接触该导电框架的该外缘；半导体芯片，定义前侧及后侧，该半导体芯片具有分别位于该前侧及该后侧的第一电极及第二电极，其中该第一电极连接该导电框架的该内缘以使该半导体芯片位于该导电框架下方，该半导体芯片则暴露于该开口中。
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