[发明专利]半导体组件无效

专利信息
申请号: 200910208069.2 申请日: 2009-10-21
公开(公告)号: CN102044513A 公开(公告)日: 2011-05-04
发明(设计)人: 罗健文;陈建汎 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/488;H01L23/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明关于一种半导体组件。该半导体组件包括一基板及一芯片。该芯片电性连接至该基板。该芯片包括一芯片本体、至少一芯片焊垫、一第一保护层、一球下金属层及至少一金属柱结构。该芯片焊垫位于该芯片本体的一主动面。该第一保护层位于该主动面上,且显露部分该芯片焊垫。该球下金属层位于该芯片焊垫上。该金属柱结构与该球下金属层接触,而形成一第一接触面,其具有一第一直径。该金属柱结构与该基板的一基板焊垫电性连接,而形成一第二接触面,其具有一第二直径。该第一直径及该第二直径的比值介于0.7至1.0。藉此,该第一接触面与该第二接触面的结合力相当,可避免该金属柱结构受剪应力而破裂,进而提升结构强度并通过信赖度测试。
搜索关键词: 半导体 组件
【主权项】:
一种半导体组件,包括:一基板,具有一第一表面及至少一基板焊垫,该基板焊垫位于该第一表面;及一芯片,位于该基板的第一表面上,且电性连接至该基板,包括:一芯片本体,具有一主动面;至少一芯片焊垫,位于该主动面;一第一保护层,位于该主动面上,且具有至少一第一开口以显露部分该芯片焊垫;一球下金属层,位于该芯片焊垫上;及至少一金属柱结构,位于该球下金属层上,且接触该基板的基板焊垫,该金属柱结构与该球下金属层接触,而形成一第一接触面,该第一接触面具有一第一直径,该金属柱结构与该基板的基板焊垫电性连接,而形成一第二接触面,该第二接触面具有一第二直径,该第一直径及该第二直径的比值介于0.7至1.0。
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