[发明专利]半导体组件

说明书

技术领域

本发明关于一种半导体组件，详言之，关于一种一芯片电性连接至一基板的半导体组件。

背景技术

参考图1，显示已知半导体组件的剖面示意图。该已知半导体组件1包括一基板2、一芯片3及一底胶36。该基板2具有一第一表面21、至少一基板焊垫22及一防焊层23。该基板焊垫22位于该第一表面21。该防焊层23位于该第一表面21上，且具有至少一防焊层开口231以显露部分该基板焊垫22。该芯片3位于该基板2的第一表面21上，且电性连接至该基板2。该芯片3包括一芯片本体31、至少一芯片焊垫32、一第一保护层33、一球下金属层34及至少一凸块35。该芯片本体31具有一主动面311。该芯片焊垫32位于该主动面311。该第一保护层33位于该主动面311上，且具有至少一第一开口331以显露部分该芯片焊垫32。该球下金属层34位于该芯片焊垫32上。该凸块35位于该球下金属层34上，且接触该基板2的基板焊垫22。该凸块35与该球下金属层34接触，而形成一第一接触面351。该凸块35与该基板2的基板焊垫22接触，而形成一第二接触面352。该底胶36包覆部分该芯片3的主动面311及该芯片3的凸块35。

该已知半导体组件1的缺点如下。该已知半导体组件1在进行信赖度测试时，需确定其经历一温度钜变后的良率仍达到预定标准，然而，该已知半导体组件1中每一构件的热膨胀系数不同，导致该凸决35因周围组件膨胀或收缩而受剪应力，且当该第一接触面351或该第二接触面352具有明显较弱的结合力时，该凸块35易于该具有明显较弱结合力的接触面产生破裂37。

因此，有必要提供一种半导体组件，以解决上述问题。

发明内容

本发明提供一种半导体组件。该半导体组件包括一基板及一芯片。该基板具有一第一表面及至少一基板焊垫，该基板焊垫位于该第一表面。该芯片位于该基板的第一表面上，且电性连接至该基板。该芯片包括一芯片本体、至少一芯片焊垫、一第一保护层、一球下金属层及至少一金属柱结构。该芯片本体具有一主动面。该芯片焊垫位于该主动面。该第一保护层位于该主动面上，且具有至少一第一开口以显露部分该芯片焊垫。该球下金属层位于该芯片焊垫上。该金属柱结构位于该球下金属层上，且电性连接该基板的基板焊垫。该金属柱结构与该球下金属层接触，而形成一第一接触面，该第一接触面具有一第一直径。该金属柱结构与该基板的基板焊垫电性连接，而形成一第二接触面，该第二接触面具有一第二直径。该第一直径及该第二直径的比值介于0.7至1.0。

藉此，该第一接触面与该第二接触面的结合力相当，可避免该金属柱结构受剪应力而破裂，进而提升结构强度并通过信赖度测试。

附图说明

图1显示已知半导体组件的剖面示意图；

图2显示本发明半导体组件的第一实施例的剖面示意图；

图3显示本发明半导体组件的第一实施例的剖面示意图，其中更包括一阻隔层；

图4显示本发明半导体组件的第二实施例的剖面示意图；

图5显示本发明半导体组件的第三实施例的剖面示意图；

图6显示本发明半导体组件的第四实施例的剖面示意图；及

图7显示本发明半导体组件的第五实施例的剖面示意图。

具体实施方式

参考图2，显示本发明半导体组件的第一实施例的剖面示意图。该半导体组件4包括一基板5、一芯片6及一底胶68。该基板5具有一第一表面51及至少一基板焊垫52，该基板焊垫52位于该第一表面51。在本实施例中，该基板5更包括一防焊层53，该防焊层53位于该第一表面51上，且具有至少一防焊层开口531以显露部分该基板焊垫52。在其它应用中，该基板5更包括一第二表面54及至少一焊球(图中未示)，该焊球位于该第二表面54。

该芯片6位于该基板5的第一表面51上，且电性连接至该基板5。该芯片6包括一芯片本体61、至少一芯片焊垫62、一第一保护层63、一球下金属层64及至少一金属柱结构65。该芯片本体61具有一主动面611。该芯片焊垫62位于该主动面611。该第一保护层63位于该主动面611上，且具有至少一第一开口631以显露部分该芯片焊垫62。该球下金属层64位于该芯片焊垫62上。在本实施例中，该球下金属层64为多层结构，其包含钛(Ti)、铝(Al)、镍(Ni)、钒(V)或铜(Cu)。