[发明专利]混合晶向应变硅衬底及其制备方法无效
| 申请号： | 200910197074.8 | 申请日： | 2009-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101692440A | 公开（公告）日： | 2010-04-07 |
| 发明（设计）人： | 魏星;王湘;李显元;张苗;王曦;林成鲁 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L29/04;H01L21/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所（普通合伙） 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种混合晶向应变硅衬底，包括：支撑衬底；直接设置于支撑衬底表面的锗硅层；以及直接设置于锗硅层表面的应变硅层。本发明进一步提供了所述混合晶向应变硅衬底的制备方法。本发明的优点在于，所提供的混合晶向应变硅衬底中，能够降低第一锗硅层的位错密度，并且保证第一应变硅区域的应变状态。并且由于具有锗硅层作为支撑衬底和应变硅层之间的缓冲层，能够提高应变硅层的晶格质量和应变程度。进一步提供的混合晶向应变硅衬底制备方法中，应变硅层生长完毕后无需再进行抛光、外延以及键合等工艺，能够保持应变硅的应变程度。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 应变 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种混合晶向应变硅衬底，其特征在于，包括：支撑衬底，所述支撑衬底具有第一晶向；直接设置于支撑衬底表面的锗硅层，所述锗硅层包括第一锗硅区域和第二锗硅区域，所述第一锗硅区域具有第一晶向，第二锗硅区域具有第二晶向；以及直接设置于锗硅层表面的应变硅层，所述应变硅层包括第一应变硅区域和第二应变硅区域；所述第一应变硅区域设置于第一锗硅区域表面，亦具有第一晶向；所述第二应变硅区域设置于第二锗硅区域表面，亦具有第二晶向。
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