[发明专利]半导体存储设备及其重置控制电路有效

专利信息
申请号: 200910152327.X 申请日: 2009-06-30
公开(公告)号: CN101620882A 公开(公告)日: 2010-01-06
发明(设计)人: 宋清基 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C11/34 分类号: G11C11/34;G11C5/00;G06F1/24;H03K3/02;H03K3/037
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 钱大勇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种半导体存储设备及其重置控制电路,所述半导体存储设备包含一重置控制电路,用以在重置信号输入的使能时间点监视重置信号并输出对应于重置信号的状态的监视信号。当监视信号的状态相等时重置控制单元也使能并输出一重置控制信号,且与重置控制信号的使能同步地结束对重置信号的监视。一内部电路用以接收重置控制信号,且重置控制信号控制内部电路的初始化。当重置信号保持使能状态预定时间段时重置控制信号被使能,以使得可以防止与在重置信号中产生中断有关的重置故障。
搜索关键词: 半导体 存储 设备 及其 重置 控制电路
【主权项】:
1.一种半导体存储设备,包含:一重置控制电路:与重置信号的使能时间点同步地监视所述重置信号的状态,并输出对应于所述重置信号的状态的监视信号;使能并输出一重置控制信号,其中当所述监视信号的状态相等时使能该重置控制信号;与所述重置控制信号的使能同步地停止对所述重置信号的监视;以及一内部电路,接收该重置控制信号,其中由该重置控信号来控制该内部电路的初始化。
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