[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种使用NSMD作为焊盘的构造时可以抑制焊球的高度不均的技术。设置有贯穿布线衬底1S的通孔V。而且，在布线衬底1S的背面上以与通孔V直接连接的方式形成焊盘LND3。此焊盘LND3形成为内包在阻焊剂SR上所形成的开口部K中。且，在焊盘LND3上搭载有半球HBa。即，本发明的特征在于将布线衬底1S的背面上所形成的焊盘LND3与通孔V的连接构成作为焊盘内通孔构造，且使焊盘LND3的构成形态为NSMD。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于包括：(a)布线衬底；(b)半导体芯片，其搭载于所述布线衬底的第1面上；以及(c)多根导线，此等将形成于所述布线衬底上的多个电极与形成于所述半导体芯片上的多个焊接垫分别加以连接；所述布线衬底具有：(a1)所述多个电极，此等形成于所述布线衬底的所述第1面上；(a2)多个第1焊盘，此等形成于所述布线衬底的所述第1面上，且设为不与所述多个电极在平面上重叠；(a3)多根第1配线，此等形成于所述布线衬底的所述第1面上，将所述多个电极与所述多个第1焊盘分别加以电性连接；(a4)多个通孔，此等形成为在平面上内包于所述多个第1焊盘的各个焊盘中，且贯穿所述布线衬底；(a5)多个第2焊盘，此等形成于所述布线衬底的所述第1面的相反侧的面即第2面上，形成为在平面上内包所述多个通孔的各个通孔，且与所述多个通孔的各个通孔电性连接；(a6)保护膜，其形成于所述布线衬底的所述第2面上且具有多个第1开口部，此等第1开口部的面积大于所述多个第2焊盘的各个焊盘的面积，且内包所述多个第2焊盘的各个焊盘；以及(a7)多个第1突起电极，此等设置于所述保护膜上所形成的所述多个第1开口部的各个开口部，且与所述多个第2焊盘的各个焊盘电性连接。