[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200880104937.6 | 申请日： | 2008-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101868850A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 西塚哲也;高桥正彦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷;南霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上，形成突状形式的绝缘层，所述突状形式的绝缘层具有面以及从所述面向上方直立起来的直立面；以覆盖所述突状形式的绝缘层的方式形成导电层；以及在大于等于85mTorr的高温条件下，对所述半导体衬底施加大于等于70mW/cm2的偏置功率，并且通过利用了将微波作为等离子体源的微波等离子体的蚀刻处理，对所述导电层的预定区域进行图案化并去除。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上，形成突状形式的绝缘层，所述突状形式的绝缘层具有面以及从所述面向上方直立起来的直立面；以覆盖所述突状形式的绝缘层的方式形成导电层；以及在大于等于85mTorr的高温条件下，对所述半导体衬底施加大于等于70mW/cm2的偏置功率，并且通过利用了将微波作为等离子体源的微波等离子体的蚀刻处理，对所述导电层的预定区域进行图案化并去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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