[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200880104937.6 | 申请日： | 2008-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101868850A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 西塚哲也;高桥正彦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷;南霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：
在半导体衬底上，形成突状形式的绝缘层，所述突状形式的绝缘层具有面以及从所述面向上方直立起来的直立面；
以覆盖所述突状形式的绝缘层的方式形成导电层；以及
在大于等于85mTorr的高温条件下，对所述半导体衬底施加大于等于70mW/cm2的偏置功率，并且通过利用了将微波作为等离子体源的微波等离子体的蚀刻处理，对所述导电层的预定区域进行图案化并去除。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
当进行所述蚀刻处理时，对所述半导体衬底施加大于等于100kHz且小于等于2MHz的偏置电压。
3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
当进行所述蚀刻处理时的蚀刻气体的流量大于等于1600sccm。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述绝缘层为硅氧化膜，
并且所述导电层为多晶硅。
5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在形成所述绝缘层的步骤之前，具有在所述半导体衬底上形成向上方直立起来的突状形式的导电层的步骤，
所述绝缘层包括形成在所述突状形式的导电层的表面的薄膜绝缘层。
6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述突状形式的绝缘层从所述面隔开预定的高度位于所述直立面的上方。
7.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：
在半导体衬底的主表面上，从所述主表面向上方直立延伸，并且形成应当成为源极区域和漏极区域的突条部；
在位于所述突条部的源极区域和漏极区域之间的信道区域上形成应当成为栅极绝缘膜的绝缘层；
以覆盖所述突条部和所述绝缘层的方式形成导电层；以及
在大于等于85mTorr的高温条件下，对所述半导体衬底施加大于等于70mW/cm2的偏置功率，并且通过利用了将微波作为等离子体源的微波等离子体的蚀刻处理，对所述导电层的进行图案化以留下所述信道区域上的导电层，并去除所述导电层以形成栅极电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880104937.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
