[发明专利]研磨用组合物及半导体集成电路装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 200880021284.5 申请日: 2008-06-16
公开(公告)号: CN101689493A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 竹宫聪;吉田伊织 申请(专利权)人: 旭硝子株式会社
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;C09K3/14;B24B37/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 王海川;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 根据本发明,能够在半导体集成电路装置制造中的被研磨面的研磨中,得到具有埋设金属布线的绝缘层的平坦表面。另外,能够得到具有高度平坦化的多层结构的半导体集成电路装置。本发明提供一种研磨用组合物,其为用于研磨半导体集成电路装置的被研磨面的化学机械研磨用组合物,该组合物含有氧化剂、磨粒、脂环族树脂酸、碱性化合物和无机酸,并且pH在8~12的范围内,所述氧化剂是选自由过氧化氢、过硫酸铵和过硫酸钾组成的组中的一种以上物质。
搜索关键词: 研磨 组合 半导体 集成电路 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种研磨用组合物,其含有氧化剂、磨粒、脂环族树脂酸、碱性化合物和水,并且pH在8~12的范围内。
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