[发明专利]半导体晶圆和半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 200880000044.7 | 申请日： | 2008-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101542759A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 袁述 | 申请（专利权）人： | 香港应用科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00;H01L29/68;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳创友专利商标代理有限公司 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国香港新界沙田香港科*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体晶圆、半导体器件以及制作半导体晶圆和器件的方法。本发明实施例特别适合用于基板替换应用，例如在制作垂直结构LED情况下。本发明一个实施例包括一种制作半导体器件的方法，本方法包括提供一个基板；在基板上形成多个抛光触止块；在基板上生长一个或多个缓冲层；在一个或多个缓冲层上生长一个或多个外延层；以及在一个或多个外延层增加一个或多个金属层。另外，还可以有粘贴第二基板到一个或多个金属层、以及利用机械去削工艺去除基板的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆，包括：一个基板；在基板上的多个抛光触止块；在基板上生长的一个或多个缓冲层；和在一个或多个缓冲层上的一个或多个外延层。
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