[发明专利]半导体晶圆和半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体晶圆，包括：

一个基板；

在基板上的多个抛光触止块；

在基板上生长的一个或多个缓冲层，使所述多个抛光触止块形成在一 个或多个缓冲层里；和

在一个或多个缓冲层上的一个或多个外延层。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中基板是一个蓝宝石基板。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中多个抛光触止块是使用一 种减法方法形成。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中多个抛光触止块是使用一 种加法方法形成。

5.根据权利要求1所述的半导体晶圆，还包括多个光散射元件在一个 或多个缓冲层里。

6.根据权利要求1所述的半导体晶圆，还包括在一个或多个缓冲层之 间的一个触止层。

7.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中每个抛光触止块包括被加 到抛光触止块上的一个抛光触止层，且其中每个抛光触止块是由第一材料 制成，而每个抛光触止层是由第二材料制成。

8.根据权利要求7所述的半导体晶圆，其中每个抛光触止层完全覆盖 抛光触止块。

9.一种半导体器件，包括：

一个基板；

在基板上的多个抛光触止块；

在基板上生长的一个或多个缓冲层，使所述多个抛光触止块形成在一 个或多个缓冲层里；

在一个或多个缓冲层上的一个或多个外延层；和

在一个或多个外延层上的一个或多个金属层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中使用一种积层或层压工 艺，一个或多个金属层被增加到一个或多个外延层。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括在一个或多个缓冲层 之间形成的一个高掺杂触止层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中高掺杂触止层是一个或 多个AllnGaN层。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中基板是一个蓝宝石基板。

14.一种制作半导体晶圆的方法，本方法包括：

提供一个基板；

在基板上形成多个抛光触止块；

在基板上生长一个或多个缓冲层，使所述多个抛光触止块形成在一个 或多个缓冲层里；和

在一个或多个缓冲层上生长一个或多个外延层。

15.根据权利要求14所述的制作半导体晶圆的方法，还包括在每个抛 光触止块上形成一个抛光触止层，且其中每个抛光触止块是由第一材料制 成，而每个抛光触止层是由第二材料制成。

16.根据权利要求14所述的制作半导体晶圆的方法，还包括增加一个 或多个金属层到一个或多个外延层。

17.根据权利要求16所述的制作半导体晶圆的方法，其中一个或多个 金属层是通过图案化电镀被增加，便于切割半导体晶圆。

18.根据权利要求16所述的制作半导体晶圆的方法，其中一个或多个 金属层包括一个接触层，本方法还包括形成一个内置触点从半导体晶圆表 面到接触层，且其中内置触点被绝缘材料围住，以减少与剩余外延层和一 个或多个金属层的接触。

19.根据权利要求16所述的制作半导体器件的方法，还包括：

粘贴第二基板到一个或多个金属层；和

使用一个机械去削工艺去除基板。

20.一种制作半导体晶圆的方法，本方法包括：

提供一个基板；

在基板上生长第一或多个缓冲层；

在第一或多个缓冲层上形成一个或多个抛光触止块，第二或其他多个 缓冲层在抛光触止块上生长；和

在第二或其他多个缓冲层上生长一个或多个外延层；

以及被键合或电镀到一个或多个金属层上的第二基板；

使用机械去削方法对基板和相应缓冲层实施去除直至到达抛光触止块 位置。