[发明专利]监视半导体晶片加工时等离子体引起的损伤有效
| 申请号： | 200810167686.8 | 申请日： | 2008-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101577266A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 翁武得;聂吉祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 | 代理人： | 马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体损伤检测测试结构。该等离子体损伤检测测试结构包括：第一天线，电压源，地线，含有第一源、第一栅和第一漏的第一晶体管。所述等离子体损伤检测测试结构还包括包含有第二源、第二栅和第二漏的第二晶体管。第一栅被电连接到所述第一天线，所述第一漏和所述第二漏被电连接到所述电压源，并且，所述第一源和所述第二源被电连接到所述地线。在不同的实施例中，可以使用多种天线。天线可以具有多种结构，例如对称的配置或不对称的配置。在不同的实施例中，可以使用并联或交叉配置的多个晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 监视 半导体 晶片 工时 等离子体 引起 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体损伤检测测试结构，包括：第一天线；电压源；地线；形成在硅片上的第一晶体管组，第一晶体管组包括电连接到第三晶体管的第一晶体管，其中，第一晶体管组被电连接到第一天线；形成在硅片上的第二晶体管组，第二晶体管组包括电连接到第四晶体管的第二晶体管，其中，第二晶体管组被电连接到地线。
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