[发明专利]一种用于制备氮化物半导体衬底的HVPE反应器无效

专利信息
申请号: 200810167621.3 申请日: 2008-10-21
公开(公告)号: CN101383279A 公开(公告)日: 2009-03-11
发明(设计)人: 于祥潞;程红娟;杨巍;徐永宽;赖占平;严如岳 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;C30B25/00;C30B29/38;C30B29/40
代理公司: 信息产业部电子专利中心 代理人: 肖伟先
地址: 300220*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种便于添加及更换金属反应物的用于制备氮化物半导体衬底的HVPE反应器,包括舟体、氯化氢进气管、氨气进气管、金属氯化物送气管和异质衬底基座。所述舟体能够拆分为两部分,以便于更换其中的金属反应物;所述氨气进气管的结构应保证在所述舟体拆分为两部分的时候其不会阻碍这种拆分。所述金属氯化物送气管采用单管路结构,在氨气离开所述舟体之后,所述氨气进气管分为若干支管,围绕在所述金属氯化物送气管的四周;在靠近置于所述异质衬底基座上的异质衬底处,所述氨气进气管的各支管与所述金属氯化物送气管之间保持一定距离,以阻止氨气与金属氯化物气体的过早混合,这样有利于降低各管口处的寄生沉积。
搜索关键词: 一种 用于 制备 氮化物 半导体 衬底 hvpe 反应器
【主权项】:
1、一种用于制备氮化物半导体衬底的HVPE反应器,包括舟体、氯化氢进气管、氨气进气管、金属氯化物送气管和异质衬底基座,其中,所述舟体用于盛放金属反应物;所述氯化氢进气管用于引入氯化氢气体到所述舟体中与金属反应物反应,从而生成金属氯化物气体,该金属氯化氢气体被所述金属氯化物送气管带到置于所述异质衬底基座上的异质衬底处;所述氨气进气管用于引入氨气到置于所述异质衬底基座上的异质衬底处,以与所述金属氯化物气体反应生长氮化物;其特征在于:所述舟体能够拆分为两部分,以便于添加及更换其中的金属反应物;所述氨气进气管的结构应保证在所述舟体拆分为两部分的时候其不会阻碍这种拆分。
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