[发明专利]半导体制造装置以及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200810090577.0 | 申请日： | 2008-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101281860A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 竹原圭一郎 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;G03F7/42;H01J37/32;H05H1/46 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体制造装置(1)包括腔室(2)，气体供给装置(3)，真空泵(5)，电极(6)，导电编织丝网(21)和射频电源(18)。电极6被安置在腔室之外并固定到该腔室。气体供给装置将气体提供到腔室中。真空泵对腔室进行排气。射频电源经由导电编织丝网向电极提供射频能量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 以及 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造装置包括：腔室；气体供给装置，被配置为将气体提供到所述腔室中；真空泵，被配置为对所述腔室进行排气；电极，被配置在所述腔室之外且被固定到所述腔室；导电编织丝网；以及射频电源，被配置为通过所述导电编织丝网向所述电极提供射频能量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
