[发明专利]半导体制造装置以及半导体器件的制造方法

说明书

1.技术领域

本发明涉及一种半导体制造装置以及一种半导体器件的制造方法。

2.现有技术

半导体器件的制造方法通常包括对半导体晶片进行加工的晶片工艺、装配工艺和检验工艺。日本特开专利申请(JP-A-Heisei，7-37870)和日本特开专利申请(JP-A-Heisei，10-144495)公开了在上述晶片加工中使用的半导体制造装置。

图1示出了日本特开专利申请(JP-A-Heisei，7-37870)中公开的半导体制造装置101。半导体制造装置101被用于从晶片127去除抗蚀剂。半导体制造装置101包括钟形炉102、气体供给装置103、真空室104、第一电极106、第二电极111、加热器114和导电部件120。钟形炉102由石英制成。气体供给装置103连接到钟形炉102的顶部。钟形炉102的底部形成凸缘。钟形炉102的底部与真空室104的顶部相连。屏蔽电极112形成真空室104的顶部的一部分。屏蔽电极112具有孔113，该孔将钟形炉102的内部与真空室104的内部相连接。屏蔽电极112接地。第一电极106和第二电极111被配置在钟形炉102之外。导电部件120将第一电极106连接到射频电源118。第二电极111接地。加热器114被放置在真空室104中并加热晶片127。连接到真空室104的真空泵(未示出)对真空室104和钟形炉102进行排气。气体供给装置103将氧气121提供到钟形炉102中。射频电源118通过导电部件120将射频能量提供给第一电极106，随后激发氧气121从而在钟形炉102中形成等离子122。等离子122包含氧分子、氧原子氧离子和电子。等离子122的中性种类123通过孔113进入真空室104，并与晶片127上的抗蚀剂发生反应。由于该反应，抗蚀剂被从晶片127上去除。由该反应而产生的气体通过真空泵从真空室104排出。

本发明人发现，当真空泵对钟形炉102和真空室进行排气时，在钟形炉102的内部与外部之间产生了压力差。由于该压力差，钟形炉102被压在真空室104上。当O型圈密封在钟形炉102和真空室104的顶部之间时，该O型圈变形且钟形炉102向着真空室104移动。当第一电极106被固定到钟形炉102以及将第一电极106连接到射频电源118的导电部件120为刚性体时，由于压力差的重复产生，负荷被反复地施加到钟形炉102和第一电极106。该反复的负荷可能会损坏钟形炉102和第一电极106。

发明内容

在一个实施例中，一种半导体制造装置包括腔室，气体供给装置，被配置为将气体提供到该腔室中，真空泵，被配置为所述腔室对进行排气，电极，被配置在所述腔室之外且被固定到所述腔室，导电编织丝网和射频电源，被配置为通过所述导电编织丝网向所述电极提供射频能量。

根据该实施例，当腔室中的压力降低时，导电编织丝网变形以容纳腔室的移动。由此，可以防止半导体制造装置被损坏。

在另一实施例中，一种半导体器件的制造方法，包括向腔室中提供气体，利用真空泵排气，通过经由导电编织丝网向电极提供射频能量从而在所述腔室中产生等离子，其中所述电极被配置所述腔室之外且被固定到所述腔室，以及由使用该等离子对将被处理的材料进行处理。

根据其他实施例，当腔室中的压力降低时，导电编织丝网变形以容纳腔室的移动。由此，防止了包括腔室和电极的半导体制造装置被损坏。

附图说明

参考附图，根据以下某些优选实施例的说明，本发明的上述及其他目的、特征以及优点将变得更加明显，其中：

图1示出了根据现有技术的半导体制造装置的剖面图；

图2示出了根据本发明第一实施例的半导体制造装置的侧视图；

图3示出了半导体制造装置的局部分解图；

图4示出了半导体制造装置的导电部件的平面图；以及

图5示出了半导体制造装置的顶视图。

具体实施方式

现在将参考说明性的实施例在此描述本发明。本领域技术人员将认识到使用本发明的教导可以完成多种可选实施例，而且本发明不局限于为了说明的目的而示出的实施例。

图2示出了根据本发明第一实施例的半导体制造装置1。例如，半导体制造装置1用于对晶片进行干蚀刻。半导体制造装置1包括腔室2、气体供给装置(或者供气管线)3、真空室4、真空泵5、第一电极6、第二电极11、绝缘体16、绝缘体17(在图2中未示出)、射频电源18、导电板19、导电板20、导电部件21、密封部件25以及基底26。