[发明专利]半导体封装及其制造方法无效
| 申请号： | 200810002436.9 | 申请日： | 2008-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101388383A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 郑冠镐 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/488;H01L23/28;H01L23/02;H01L23/34;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体封装及其制造方法。该半导体封装包含半导体封装模块，该半导体封装模块具有形成于绝缘基板上的电路图案，通过凸块电连接至每个电路图案的至少两个半导体芯片，以及填入该半导体模块的任何开放空间中的绝缘构件。盖板形成于半导体封装模块的上部，穿透电极穿透半导体封装。穿透电极电连接至电路图案。所述半导体封装改进了例如尺寸、可靠性、翘曲防止与迅速散热的重要特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体封装，包括：半导体封装模块，包括：绝缘基板，具有上表面和下表面；多个电路图案，形成于所述绝缘基板的上表面上；至少两个半导体芯片，电连接至每个所述电路图案；以及绝缘构件，至少填入所述半导体芯片和所述电路图案的任何组合之间的任何空间内，以及穿透电极，形成为穿透介于所述上表面和下表面之间的所述半导体封装模块的一部分，其中所述穿透电极电连接至所述电路图案。
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