[发明专利]半导体装置及其制造方法以及半导体装置的安装结构无效

专利信息
申请号: 200710196790.5 申请日: 2007-12-06
公开(公告)号: CN101221932A 公开(公告)日: 2008-07-16
发明(设计)人: 小坂幸广;中村嘉文;手谷道成 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L23/36 分类号: H01L23/36;H01L23/31;H01L23/498;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 黄剑锋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体装置及其制造方法以及半导体装置的安装结构。本发明的半导体装置,具有配线基板(4)、半导体元件(2)、密封树脂(7)、散热体(9)和填充材料(8),上述配线基板(4)在具有开口部(5a)的绝缘基板(5)上形成了导体配线(6);上述半导体元件(2)具有电路形成区域(2a)和电极盘(3),电路形成区域与开口部相对地安放在配线基板上,电极盘通过突起电极(3a)与导体配线电连接;上述密封树脂(7)被覆电极盘与导体配线的连接部;上述散热体(9)具有与开口部相对的部分地配置;上述填充材料(8)的热传导率比密封树脂高,被填充到开口部内,与半导体元件的电路形成区域和散热体接触。这样即使在面积小的配线基板的情况下也能够确保散热效率,并且能够廉价地制作。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法 以及 安装 结构
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具有配线基板、半导体元件、密封树脂、散热体以及填充材料;上述配线基板在具有开口部的绝缘基板上形成有导体配线;上述半导体元件具有电路形成区域和电极盘,上述电路形成区域与上述开口部相对地被安放在上述配线基板上,上述电极盘通过突起电极与上述导体配线电连接;上述密封树脂被覆上述电极盘与上述导体配线的连接部;上述散热体具有与上述开口部相对的部分地被配置;上述填充材料具有比上述密封树脂高的热传导率,被填充到上述开口部内,与上述半导体元件的电路形成区域和上述散热体接触。
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