[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 200710180882.4 | 申请日： | 2007-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101140860A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 郑志兴;罗时朋;陈振松;谢宗桦;赖宏裕 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/205;H01L21/285;H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/67;C23F4/00;C23C16/513;C23C16/509 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵丽丽 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种等离子体处理装置，包括一真空腔、一上电极、一下电极及一基座。上电极与下电极设置于真空腔内。真空腔具有一底部，而基座设置于真空腔的底部，下电极则设置于基座上。基座与真空腔的底部形成一基座空间，而基座空间内的气流与真空腔的气流实质上隔绝。采用本发明的等离子体处理装置，不但能够减少真空腔中尘埃与副产物飘移至基板的机会，并且还能够减少真空腔中的扰流效应，提升基板蚀刻或沉积的均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：真空腔，该真空腔具有底部；上电极与下电极，其设置于该真空腔内；以及基座，其设置于该真空腔的底部，所述下电极设置于该基座上，该基座与真空腔的底部形成一基座空间，其中该基座空间内的气流与该真空腔的气流实质上隔绝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
