[发明专利]等离子体处理装置

说明书

技术领域

本发明是关于一种等离子体处理装置；更特别的是，本发明关于一种用于干蚀刻制程的等离子体处理装置。

背景技术

在半导体以及液晶显示器制造工艺中，利用等离子体来进行干蚀刻的技术已经非常普及。除此之外，等离子体处理不但可用于一般的蚀刻程序，也可使用在沉积程序，因此其应用范围快速的增加，特别是在薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)前段数组(array)的制造工艺中，常常使用等离子体处理来进行蚀刻与沉积。

简单来说，等离子体处理是在一反应空间(通常为一真空腔)中产生等离子体，而进一步地使用所产生的等离子体进行蚀刻或沉积。图1显示用于进行干蚀刻的现有等离子体处理装置10，其包括真空腔12、上电极14、下电极16及基座18。上电极14与下电极16设置于真空腔12内，并与电源(未图标)耦接以产生等离子体。下电极16则设置于基座18上，而基板S(例如玻璃基板或是硅基板)放在下电极16上，以利用所产生的等离子体进行蚀刻或沉积。

熟习相关技艺者可知，在现有等离子体处理装置10中，下电极16与基座18下方的空间较为狭隘，需设置许多真空管线(例如排气孔13)与传动机构(未图标)，不易清洁，因此容易有尘埃与反应副产物堆积。当等离子体处理装置10进行等离子体蚀刻或沉积时，整个真空腔12处于适当的低压状态，特别是真空腔12内的气体不断地经由真空腔12底部的排气孔13而被抽离真空腔12，这时堆积于下电极16与基座18下方的尘埃与反应副产物很容易被气流(如箭号A所示)带起，不但会影响整个真空腔12的洁净度，甚至可能飘移至基板S上而影响基板S的蚀刻或沉积效果，进而造成基板S的缺陷(例如E-AS-Residue(残膜)缺陷)。

因此，目前迫切需要一种新的等离子体处理装置，可以解决上述的问题。特别是，这种装置不会大幅地增加成本，且又容易实施。

发明内容

有鉴于先前技艺的缺失，本发明提出一种等离子体处理装置，其特点之一在于：此等离子体处理装置减少了真空腔中尘埃与副产物飘移至基板的机会；另一特点在于减少真空腔中的扰流效应，提升基板蚀刻或沉积的均一性(uniformity)。

根据本发明的实施例，此种等离子体处理装置包括一真空腔、一上电极、一下电极及一基座。上电极与下电极设置于真空腔内。真空腔包括一底部，而基座设置于该底部，下电极则设置于真空腔的底部上。基座与真空腔的底部形成一基座空间，而基座空间内的气流与真空腔的气流实质上隔绝。

根据本发明等离子体处理装置的另一实施例，前述真空腔的底部可包括一排气孔，且基座空间内的气流与排气孔实质上隔绝。

根据本发明等离子体处理装置的另一实施例，前述基座可包括一支撑部与一侧板，支撑部供支撑下电极，而侧板位于支撑部与底部之间。

根据本发明等离子体处理装置的另一实施例，所述等离子体处理装置还包括有盖板，该盖板覆盖于该底部上未设置该基座的部分。

根据本发明等离子体处理装置的另一实施例，该基座包括有支撑部与侧板，该支撑部供支撑该下电极，该侧板位于该支撑部与该底部之间，而该盖板与该侧板连结。

根据本发明等离子体处理装置的另一实施例，该底部具有一排气孔，其中该盖板与该基座连结，且该盖板具有一开口以暴露出该排气孔。

通过以上所述的实施例，在本发明的等离子体处理装置中，由于下电极下方的空间与真空腔实质隔绝，相较于现有设计，本发明不会大幅地增加成本，且又容易实施。本发明之一优点在于，通过上述的隔绝设计，堆积于下电极与基座下方的尘埃与反应副产物不会受到真空腔中的气流所影响而进入至真空腔中，因此可以保持真空腔洁净度，也减少尘埃与反应副产物飘移至基板S上的机会，同时也可减少真空腔中的扰流效应。

通过以下的较佳实施例的叙述并配合图式说明，本发明的目的、特征与优点将更为清楚。

附图说明

图1为现有等离子体处理装置的示意图；

图2A为本发明等离子体处理装置实施例的侧视图；

图2B为本发明等离子体处理装置实施例的俯视图。

主要附图标记说明

等离子体处理装置10    真空腔12

排气孔13              上电极14

下电极16              等离子体处理装置20

真空腔22              排气孔23

上电极24              下电极26

基座28                支撑部282