[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 200710180882.4 | 申请日： | 2007-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101140860A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 郑志兴;罗时朋;陈振松;谢宗桦;赖宏裕 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/205;H01L21/285;H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/67;C23F4/00;C23C16/513;C23C16/509 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵丽丽 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：
真空腔，该真空腔具有底部；
上电极与下电极，其设置于该真空腔内；以及
基座，其设置于该真空腔的底部，所述下电极设置于该基座上，该基座与真空腔的底部形成一基座空间，其中该基座空间内的气流与该真空腔的气流实质上隔绝。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，该真空腔的底部具有排气孔，其中该基座空间内的气流与该排气孔实质上隔绝。
3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，该基座包括支撑部与侧板，该支撑部供支撑所述下电极，该侧板位于该支撑部与该底部之间。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，该侧板沿着该下电极的周围设置。
5.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括有盖板，该盖板覆盖于该底部上未设置该基座的部分。
6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，该基座包括有支撑部与侧板，该支撑部供支撑该下电极，该侧板位于该支撑部与该底部之间，而该盖板与该侧板连结。
7.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，该底部具有一排气孔，其中该盖板与该基座连结，且该盖板具有一开口以暴露出该排气孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
