[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200710162658.2 | 申请日： | 2007-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101211972A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 谢昀睿;蔡俊琳;姚智文;徐百康;黄宗义;柳瑞兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法。其中该半导体结构包括：基板；第一阱区，位于上述基板上，上述第一阱区具有第一导电类型；第二阱区和第三阱区，相邻于上述第一阱区，上述第二和第三阱区具有相反于上述第一导电类型的第二导电类型；第一深阱区，位于至少一部分的上述第一阱区和上述第二阱区下方，上述第一深阱区具有上述第二导电类型；第二深阱区，位于上述第三阱区下方，上述第二深阱区具有上述第二导电类型；绝缘区，位于一部分上述第一阱区中；栅极介电质，从上述绝缘区的上方延伸至上述第二阱区的上方；栅极，位于上述栅极介电质上。本发明能够提高击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：基板；第一阱区，位于该基板上，该第一阱区具有第一导电类型；第二阱区，位于该基板上，且横向相邻于该第一阱区，该第二阱区具有相反于该第一导电类型的第二导电类型；第三阱区，相邻于该第一阱区，该第三阱区具有该第二导电类型，其中该第二阱区和该第三阱区彼此隔开；第一深阱区，位于至少一部分的该第一阱区和该第二阱区下方，该第一深阱区具有该第二导电类型；第二深阱区，位于该第三阱区下方，该第二深阱区具有该第二导电类型，其中该第二深阱区包围至少一部分的该第三阱区的侧壁和底部，且其中该第一深阱区和该第二深阱区被间隙隔开；绝缘区，位于一部分该第一阱区中，从该第一阱区的顶面延伸至该第一阱区中；栅极介电质，从该第一阱区的上方延伸至该第二阱区的上方，其中一部分该栅极介电质位于该绝缘区的上方；以及栅极，位于该栅极介电质上。
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