[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

基板；

第一阱区，位于该基板上，该第一阱区具有第一导电类型；

第二阱区，位于该基板上，且横向相邻于该第一阱区，该第二阱区具有相反于该第一导电类型的第二导电类型；

第三阱区，相邻于该第一阱区，该第三阱区具有该第二导电类型，其中该第二阱区和该第三阱区彼此隔开；

第一深阱区，位于至少一部分的该第一阱区和该第二阱区下方，该第一深阱区具有该第二导电类型；

第二深阱区，位于该第三阱区下方，该第二深阱区具有该第二导电类型，其中该第二深阱区包围至少一部分的该第三阱区的侧壁和底部，且其中该第一深阱区和该第二深阱区被间隙隔开；

绝缘区，位于一部分该第一阱区中，从该第一阱区的顶面延伸至该第一阱区中；

栅极介电质，从该第一阱区的上方延伸至该第二阱区的上方，其中一部分该栅极介电质位于该绝缘区的上方；以及

栅极，位于该栅极介电质上。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电类型为p型，且该第二导电类型为n型。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一导电类型为n型，且该第二导电类型为p型。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中位于该间隙中的该第二导电类型杂质的第一杂质浓度低于位于该第一深阱区和该第二深阱区中的该第二导电类型杂质的第二杂质浓度。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第一杂质浓度小于该第二杂质浓度超过一个数量级。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一阱区、该第二阱区和该第三阱区之中每一个都为连续阱区，其具有实质上均匀的杂质浓度。

7.如权利要求1所述的半导体结构，还包括第四阱区，位于该第一阱区和该第三阱区之间，该第四阱区具有该第一导电类型，其中该第四阱区与该第一阱区和该第三阱区隔开。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其中该第四阱区与该第二深阱区相邻。

9.如权利要求7所述的半导体结构，其中该第四阱区与该第二深阱区隔开。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一阱区和该第二阱区为高压阱区。

11.如权利要求1所述的半导体结构，还包括第四阱区，位于该第二阱区相对于该第一阱区的相反侧，该第四阱区具有该第一导电类型，其中该第四阱区相邻于该第二阱区，且该栅极介电质延伸至该第四阱区上方。

12.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第一源/漏极区，位于该第一阱区中，且相邻于该绝缘区；以及

第二源/漏极区，位于该第二阱区中，且相邻于该栅极介电质。

13.一种半导体结构的形成方法，包括下列步骤：

提供基板；

在该基板上形成第一阱区，该第一阱区具有第一导电类型；

在该基板上形成第二阱区，且横向相邻于该第一阱区，该第二阱区具有相反于该第一导电类型的第二导电类型；

相邻于该第一阱区形成第三阱区，该第三阱区具有该第二导电类型，其中该第二阱区和该第三阱区彼此隔开；

在至少一部分的该第一阱区和该第二阱区下方形成第一深阱区，该第一深阱区具有该第二导电类型；

在该第三阱区下方形成第二深阱区，该第二深阱区具有该第二导电类型，其中该第二深阱区包围至少一部分的该第三阱区的侧壁和底部，且其中该第一深阱区和该第二深阱区被间隙隔开；

在一部分该第一阱区中形成绝缘区，且该绝缘区从该第一阱区的顶面延伸至该第一阱区中；

形成栅极介电质，该栅极介电质从该第一阱区的上方延伸至该第二阱区的上方，其中一部分该栅极介电质位于该绝缘区的上方；以及

在该栅极介电质上形成栅极。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其中该第二阱区和该第三阱区同时形成，且其中该第一深阱区和该第二深阱区同时形成。

15.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其中该第一阱区与第一低压金属氧化物半导体元件的第一低压阱区同时形成，且该第二阱区和第三阱区与第二金属氧化物半导体元件的第二低压阱区同时形成。