[发明专利]半导体集成电路有效
| 申请号： | 200710136231.5 | 申请日： | 2007-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN101241900A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 米津俊明;岩本猛;大林茂树;荒川政司;河野和史 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明旨在提供能使用电熔丝执行可靠援救处理的半导体集成电路。本发明设置有熔丝布线、第一电极焊盘、第二电极焊盘、污染控制层及第一通孔布线和第二通孔布线。而且熔丝布线由超过预定电流值通过而切断。第一电极焊盘与熔丝布线的一侧连接。第二电极焊盘与熔丝布线的另一侧连接。经由绝缘层在熔丝布线的上层和下层中形成污染控制层。在熔丝布线的侧面，经由绝缘层形成一对第一通孔布线，它与污染控制层连接并且包围熔丝布线。关于熔丝布线，在第一通孔布线的外侧形成一对第二通孔布线，使得可以包围第一通孔布线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体集成电路，包括：熔丝布线，由超过预定电流值通过而切断；第一电极焊盘，与所述熔丝布线的一侧连接；第二电极焊盘，与所述熔丝布线的另一侧连接；污染控制层，经由绝缘层在所述熔丝布线的上层和下层中形成；一对第一通孔布线，在所述熔丝布线的侧面经由所述绝缘层而形成，与所述污染控制层连接，并且包围所述熔丝布线；和一对第二通孔布线，关于所述熔丝布线在所述第一通孔布线的外侧中形成，使得可以包围所述第一通孔布线。
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