[发明专利]半导体集成电路

权利要求书

1. 一种半导体集成电路，包括：

熔丝布线，由超过预定电流值通过而切断；

第一电极焊盘，与所述熔丝布线的一侧连接；

第二电极焊盘，与所述熔丝布线的另一侧连接；

污染控制层，经由绝缘层在所述熔丝布线的上层和下层中形成；

一对第一通孔布线，在所述熔丝布线的侧面经由所述绝缘层而形成，与所述污染控制层连接，并且包围所述熔丝布线；和

一对第二通孔布线，关于所述熔丝布线在所述第一通孔布线的外侧中形成，使得可以包围所述第一通孔布线。

2. 按照权利要求1的半导体集成电路，其中：

所述第一通孔布线的一端接近于所述第一电极焊盘，并且所述第二通孔布线的另一端接近于所述第二电极焊盘。

3. 按照权利要求1的半导体集成电路，其中：

保证所述污染控制层和所述第一通孔布线与所述熔丝布线的距离为400nm或更大。

4. 按照权利要求1的半导体集成电路，其中：

在所述污染控制层与所述熔丝布线之间，至少形成两层或更多层的精细层。

5. 按照权利要求1的半导体集成电路，还包括：

断裂扩展防止层，在所述熔丝布线的布线方向上不连续，所述断裂扩展防止层经由在所述熔丝布线与所述污染控制层之间的所述绝缘层，在所述熔丝布线的上层和下层中形成。

6. 一种半导体集成电路，包括：

熔丝布线，由超过预定电流值通过而切断；

第一电极焊盘，与所述熔丝布线的一侧连接；

第二电极焊盘，与所述熔丝布线的另一侧连接；和

断裂扩展防止层，在所述熔丝布线的布线方向上不连续，所述断裂扩展防止层经由绝缘层在所述熔丝布线的上层和下层中形成。

7. 按照权利要求6的半导体集成电路，其中：

保证所述断裂扩展防止层与所述熔丝布线的距离为400nm或更大。

8. 按照权利要求6的半导体集成电路，其中：

在所述断裂扩展防止层与所述熔丝布线之间，至少形成两层或更多层的精细层。

9. 按照权利要求1的半导体集成电路，还包括：

多个第一塞，与所述第一电极焊盘电连接；和

多个第二塞，与所述第二电极焊盘电连接；

其中：

所述第一塞与所述第一电极焊盘的总接触横截面和所述第二塞与所述第二电极焊盘的总接触横截面相同。

10. 按照权利要求1的半导体集成电路，还包括：

多个第一塞，与所述第一电极焊盘电连接；和

多个第二塞，与所述第二电极焊盘电连接；

其中：

所述第二塞的横截面和所述第一塞的横截面相同，并且所述第二塞的数目和所述第一塞的数目相同。

11. 按照权利要求1的半导体集成电路，其中：

在精细层中形成所述熔丝布线。

12. 按照权利要求1的半导体集成电路，其中：

所述污染控制层至少在一个位置处有一部分被电切断，所述一个位置在与起电熔丝作用的熔丝布线所对应的位置中。