[发明专利]电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200710115811.6 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101256869A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 颜世申;陈延学;刘国磊;梅良模;田玉峰;乔瑞敏 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40;H01F41/14;H01F41/18 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许德山 |
| 地址： | 250100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜及其制备方法，属于信息技术自旋电子材料领域。该系列氧化物磁性半导体薄膜显示普遍的电输运性质：低电阻率的材料为莫特(Mott)变程跃迁电阻，中间电阻率的材料为埃弗洛斯(Efros)变程跃迁电阻，高电阻率的材料为硬带隙(hard gap)电阻。利用磁控溅射或脉冲激光沉积的方法，交替沉积非常薄的铁磁金属层和宽禁带氧化物半导体层在衬底上，通过精确控制薄膜制备过程中的氧分压来调控材料的电输运性质。氧化物磁性半导体薄膜的电输运性质只与材料中氧空位的浓度相关。 | ||
| 搜索关键词： | 输运 性质 调控 氧化物 磁性 半导体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、电输运性质可调控的氧化物磁性半导体薄膜，其特征在于，具有分子通式如下：(A1-xBx)aOb-v 其中，x＝0.2-0.8，a＝1-2，b＝1-3，v＝0-0.4。A表示非磁性金属元素，选自Zn，Ti，Sn，In或Al；B表示磁性金属元素，选自Fe，Co，Ni或Mn；v表示氧空位含量。
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