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[发明专利]四重钙钛矿氧化物及其制备方法和用途、电解水的方法-CN202110268478.2有效
发明人： 龙有文;叶旭斌;刘哲宏 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明提供四重钙钛矿氧化物作为电解水催化剂的用途，其中，所述四重钙钛矿氧化物具有以下化学式：ACu3M1‑xM′xO12‑y，其中A为Ca、La或Na，M为Ni、Cu、Co或Fe，M′为Ru、Ir、Re、Os，0＜x≤1，并且0≤y≤1。本发明还提供一种四重钙钛矿氧化物，所述四重钙钛矿氧化物为：CaCu3Ni2Ir2O12‑y、CaCu3Co2Ir2O12‑y、LaCu3Fe2Re2O12或CaCu3Ni2Ru2O12‑y，0≤y≤1。本发明还提供一种制备本发明的四重钙钛矿氧化物的方法。本发明还提供一种电解水的方法，其包括如下步骤：向电极上施加作为电解水催化剂的本发明的四重钙钛矿氧化物。本发明的四重钙钛矿氧化物是一种高效、稳定的电催化水制氢及制氧的催化剂。在电解水时，本发明的四重钙钛矿氧化物可以降低过电势，进而提高能源利用效率。
四重钙钛矿氧化物及其制备方法用途电解水

[发明专利]磁电耦合多铁材料及其制备方法-CN202211657355.9在审
发明人： 龙有文;周龙;王潇 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供一种磁电耦合多铁材料，其为单晶且化学式为CdMn7O12，所述磁电耦合多铁材料的劳埃衍射图谱呈离散的衍射斑点。本发明还提供一种制备本发明所述的磁电耦合多铁材料的方法，其包括以下步骤：(1)将CdO、Mn2O3、MnO2和助熔剂在保护性气体环境中充分研磨混合，得到混合物；(2)将所述混合物密封包裹后，进行加温加压处理；(3)将步骤(2)中的处理产物降温降压，任选地清洗降温降压后的产物，制得磁电耦合多铁材料。本发明的磁电耦合多铁材料兼具大的铁电极化与强的磁电耦合效应，故而在未来的磁电传感器、多态存储器、新一代铁电随机存储器以及多功能集成器件中具有潜在应用价值。
磁电耦合材料及其制备方法

[发明专利]铁电光伏半导体材料Hg0.75-CN202111095884.X在审
发明人： 龙有文;周博文 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供一种铁电光伏半导体材料Hg0.75Pb0.25MnO3。本发明还提供一种制备本发明的铁电光伏半导体材料Hg0.75Pb0.25MnO3的方法，其包括如下步骤：(1)将PbO、HgO、MnO2以1:3:4的摩尔比例进行混合，得到混合物；然后将所述混合物充分研磨，获得粉末；(2)将步骤(1)得到的粉末密封包裹后，进行加热加压处理，淬火卸压至室温环境，得到铁电光伏半导体材料Hg0.75Pb0.25MnO3。本发明还提供根据本发明的铁电光伏半导体材料Hg0.75Pb0.25MnO3或根据本发明的方法制得的铁电光伏半导体材料Hg0.75Pb0.25MnO3在光电器件中的应用。本发明的铁电光伏半导体材料Hg0.75Pb0.25MnO3在室温下具有铁电性且具有良好的环境稳定性，可随外场方向翻转光电流方向，并且具有吸收可见光的特点。
电光半导体材料 hg base sub 0.75

[发明专利]铁磁性荧光材料Sr2-CN201910597541.X有效
发明人： 龙有文;周博文;叶旭斌 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C09K11/68 文献下载
摘要：一种铁磁性荧光材料Sr2CrFeO5.75，其中，使用Cu靶Kα衍射，其以2θ角度表示的X射线粉末衍射图谱在32.28°、39.81°、46.30°、57.57°处具有衍射峰，2θ角度测量误差为±0.005°。本发明还提供一种制备本发明的铁磁性荧光材料Sr2CrFeO5.75的方法，包括如下步骤：(1)将SrO、Fe2O3、CrO2、CrO3以8:2:3:1的摩尔比例充分研磨，得到粉末；(2)将步骤(1)得到的粉末密封包裹后，进行合成，淬火卸压至室温环境，得到铁磁性荧光材料Sr2CrFeO5.75。本发明提供的铁磁性荧光材料Sr2CrFeO5.75具有稳定的性质、铁磁性工作温区范围广等优点，是潜在的高温自旋过滤材料并具备磁光电器件的发展潜力。
铁磁性荧光材料 sr base sub

[发明专利]亚铁磁性半金属及其制备方法-CN202010494194.0有效
发明人： 龙有文;刘哲宏 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供一种亚铁磁性半金属，其化学式为LaCu3Fe2Re2O12。本发明还提供一种制备本发明的亚铁磁性半金属的方法，其包括以下步骤：(1)将La2O3、Fe2O3、Re2O7、CuO和Re粉以摩尔比7:21:9:42:10在保护性气体环境中进行研磨混合，得到混合物；(2)将所述混合物密封包裹后，进行合成；(3)将合成产物降温至室温，卸压，从而制得亚铁磁性半金属LaCu3Fe2Re2O12。本发明的亚铁磁性半金属LaCu3Fe2Re2O12具有高的居里温度(Tc～620K)，宽的带隙(～2.3eV)，以及大的低场磁阻(在2K和0.8T时，为大约4％)，在未来的自旋电子器件中有潜在应用价值。
亚铁磁性金属及其制备方法

[发明专利]低热导金属性材料及其制备方法-CN202010494124.5有效
发明人： 龙有文;戴建洪 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C01G55/00 文献下载
摘要：本发明提供一种低热导金属性材料，其具有以下化学式：Bi3Ir3O11。本发明还提供一种制备本发明的低热导金属性材料的方法，其包括如下步骤：(1)将Bi2O3、Ir粉和KClO4以1:2:2.5的摩尔比例在保护性气体环境中混合后充分研磨得到原料混合物；(2)将所述原料混合物密封包裹后，进行合成；(3)对合成后的样品块充分研磨并清洗、除杂、风干，得到低热导金属性材料。在300K时，Bi3Ir3O11的热导率为0.6Wm‑1K‑1，电阻率为11.42×10‑5Ωm。本发明提供的低热导金属性材料在电池电极、超电容、电催化、屏蔽涂层等领域具有潜在的应用前景。
低热金属性材料及其制备方法

[发明专利]白钨矿相的DyCrO4-CN201910613923.7有效
发明人： 龙有文;申旭东 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G01R33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种白钨矿相的DyCrO4在磁电传感器单元中的应用。本发明还提供一种磁电传感器单元，包括：衬底，位于衬底上的下电极，位于下电极上的介质层，和位于介质层上的上电极；其中，所述介质层由白钨矿相的DyCrO4形成。本发明还提供一种制备本发明的磁电传感器单元的方法，包括如下步骤：(1)在衬底上形成下电极；(2)以白钨矿相的DyCrO4为靶材，在所述下电极上形成介质层；(3)在所述介质层上形成上电极。本发明提供的磁电传感器单元结构简单并且由单相材料形成。本发明利用高温高压的方法处理，使得DyCrO4表现出了稳定有效的磁电耦合多铁性质，为磁电耦合材料的探索发现提供了新的途径。
白钨矿 dycro base sub

[发明专利]一种亚铁磁性半导体LaCu3-CN201811307139.5有效
发明人： 龙有文;王潇 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种亚铁磁性半导体，其化学式为LaCu3Fe2Os2O12，空间群为Pn‑3，晶格常数为居里温度为520K，带隙宽度为约0.2eV。本发明还提供了一种制备所述亚铁磁性半导体的方法，包括：(1)将La2O3、Fe2O3、CuO、Os和氧源研磨混合，得到混合物；(2)将混合物填充到金胶囊或铂胶囊中，密封；(3)将金胶囊或铂胶囊置于6～10GPa的压力以及1000～1200℃的温度下进行处理；和(4)将步骤(3)中处理得到的反应产物降温至室温，卸压，然后从金胶囊或铂胶囊中取出，研磨并清洗，从而得到亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12。本发明的亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12在未来的磁性半导体集成电路器件、红外‑远红外传感器件以及多功能集成器件中具有潜在应用价值。
一种亚铁磁性半导体 lacu base sub

[发明专利]亚铁磁性半金属NaCu₃Fe₂Os₂O₁₂及其制备方法-CN201710252338.X有效
发明人： 龙有文;王潇;殷云宇 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： C01G55/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种亚铁磁性半金属，其化学式为NaCu₃Fe₂Os₂O₁₂，其空间群为Pn‑3，晶格常数为居里温度为380K，是一种高温亚铁磁性半金属。本发明还公开了一种制备所述亚铁磁性半金属的方法，包括：(1)将NaOH、Fe₂O₃、CuO、Os和氧源研磨混合，得到混合物；(2)将混合物填充到金或铂金胶囊中，密封；(3)将金或铂金胶囊置于6～10GPa的压力以及1000～1200℃的温度下进行处理；和(4)将步骤(3)中处理得到的反应产物降温至室温，卸压，然后从金或铂金胶囊中取出，研磨并清洗，从而得到亚铁磁性半金属NaCu₃Fe₂Os₂O₁₂。本发明的亚铁磁性半金属NaCu₃Fe₂Os₂O₁₂具有高的居里温度，在未来的自旋电子器件中有潜在应用价值。
亚铁磁性金属 nacu3fe2os2o12 及其制备方法

[发明专利]铁电存储单元的制备方法-CN201510068294.6有效
发明人： 龙有文;王潇;周龙;殷云宇 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种铁电存储单元，包括：下电极；形成于所述下电极上的铁电介质层；以及形成于所述铁电介质层上的上电极；其中，所述铁电介质层为LaMn₃Cr₄O₁₂薄膜。本发明还提供了一种在硅衬底制备所述铁电存储单元的方法，包括：在硅衬底上通过热氧化生成一层二氧化硅；在二氧化硅层上通过溅射或者电子束蒸发形成下电极；以LaMn₃Cr₄O₁₂为靶材，在下电极上通过脉冲激光沉积或者溅射形成铁电介质层；在铁电介质层上通过溅射或者电子束蒸发形成上电极。所述铁电存储单元具有速度快、功耗低、耐腐蚀、耐高温、寿命长、与反铁磁有序耦合且磁场可调控等优点。
基于 lamn3cr4o12 单元存储器

[外观设计]收音机（投影钟控）-CN201730671970.9有效
发明人： 龙有文 -专利权人： 龙有文
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：收音机（投影钟控）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于收听电台节目、投射映像、显示时间。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状、图案及其结合。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
外观设计投影钟收音机电台节目投射映像收听图案图片

[发明专利]磁制冷材料CaFe0.7Co0.3O3单晶及其制备方法-CN201510068308.4有效
发明人： 龙有文;夏海亮;杨俊叶;殷云宇 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提出了一种磁制冷材料，其化学式为CaFe0.7Co0.3O3。以及一种制备所述的磁制冷材料的方法，包括CaCO3、Fe2O3、Co3O4均匀混合后研磨；第一次烧结；将第一次烧结的产物研磨后压制成棒状；第二次烧结得到CaFe0.7Co0.3O2.5多晶棒；以所述CaFe0.7Co0.3O2.5多晶棒为料棒，通过光学浮区法生长CaFe0.7Co0.3O2.5单晶；CaFe0.7Co0.3O2.5单晶同氧源高温高压反应。本发明提出的CaFe0.7Co0.3O3单晶具有优良的磁热效应，工作温区较宽，制冷能力大，不含贵金属元素、适用于高效率的磁制冷装置。
制冷材料 cafe0 co0 o3 及其制备方法

[发明专利]高温亚铁磁半导体的制备方法-CN201510163120.8有效
发明人： 龙有文;邓宏芟;殷云宇 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高温亚铁磁半导体，其化学式为CaCu3Fe2Os2O12，具有高温亚铁磁性，居里温度接近600K。还公开了一种制备所述高温亚铁磁半导体的方法，包括将CaO、Fe2O3、CuO、Os、氧源均匀混合，得到混合物；研磨；将混合物填充在金或铂金胶囊中密封；将金或铂金胶囊置于高压装置中高温高压处理；退火或淬火处理；先降温后卸压；将反应产物从金或铂金胶囊中取出，充分研磨；清洗。本发明提出的CaCu3Fe2Os2O12具有高的居里温度以及宽的半导体能隙，在未来的自旋电子器件中有潜在应用价值。
高温亚铁半导体 cacu sub fe os 12 及其制备方法

[发明专利]一种磁电耦合多铁性材料BiMn3Cr4O12的制备方法-CN201510069601.2有效
发明人： 龙有文;周龙;殷云宇 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： C04B35/12 文献下载
摘要：公开了一种磁电耦合多铁性材料及其制备方法，所述新型磁电耦合多铁性材料的化学式为BiMn3Cr4O12。制备所述新型磁电耦合多铁性材料BiMn3Cr4O12的方法包括把纯度高于99.9％的Bi2O3、Mn2O3和Cr2O3按摩尔比134混合后充分研磨、筛选；将筛选过的原料装入金或铂金胶囊并压实；高温高压固相反应。所述新型磁电耦合多铁性材料BiMn3Cr4O12具有弱铁磁自旋序、较大的介电常数和电偶极化强度，以及较高的临界温度，在自旋电子器件、多态存储器件等领域有良好的应用前景。
一种磁电耦合多铁性材料 bimn3cr4o12 制备方法

[发明专利]一种大体积高压氧化物单晶生长方法-CN201510068253.7在审
发明人： 龙有文;杨俊叶;殷云宇 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C30B1/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种大体积高压氧化物单晶生长方法，所述大体积高压氧化物单晶生长方法包括常压下生长前驱体氧化物单晶；将所述前驱体氧化物单晶与氧源混合后进行高温高压固相反应改变化学组分和/或晶体结构，从而获得大体积目标氧化物单晶体，其中所述前驱体氧化物单晶和所述目标氧化物单晶均为过渡金属氧化物。本发明提出的大体积高压氧化物单晶生长方法克服了传统高温高压单晶生长尺寸过小的缺点。
一种体积高压氧化物生长方法

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