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[发明专利]一种含氮稀磁半导体(Zn90%-CN202210771227.0在审
发明人：张珂 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明涉及稀磁半导体薄膜领域，具体涉及一种含氮稀磁半导体(Zn90％,Cr10％)Te:I薄膜材料的制备方法。该薄膜材料中Cr原子的含量为10％，通过掺杂碘元素与氮元素，可以使得载流子浓度达到1019cm‑3。另外，掺杂N后增加了Cr原子间的结合能，使得Cr原子间因斥力作用，在薄膜中均匀分布，此外通过低温退火的处理方式可以进一步降低Cr在薄膜中的亚稳态分解几率。使用此技术获得的氮稀磁半导体(Zn90％,Cr10％)Te:I薄膜同时具备铁磁特性和半导体特性，铁磁性的居里转移温度可达到室温300K。
一种含氮稀磁半导体 zn base sub 90

[发明专利]一种含碘稀磁半导体(Zn90%-CN202210771209.2在审
发明人：张珂 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明涉及稀磁半导体薄膜领域，具体涉及使用分子束外延生长(MBE)技术制备一种p型含碘稀磁半导体(Zn90％,Cr10％)Te:N薄膜材料的方法。该薄膜材料的元素组成为Zn、Te、Cr、N、I五种元素，控制N原子和I原子的比例＜10:1时，最终制备得到的稀磁半导体材料的居里温度(Tc)≥2K，可以达到20K。
一种含碘稀磁半导体 zn base sub 90

[发明专利]一种稀磁半导体(Zn80%-CN202210208975.8在审
发明人：张珂 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明涉及化合物半导体外延生长制造技术领域，具体涉及基于分子束外延生长(MBE)技术制备一种稀磁半导体(Zn80％，Cr20％)Te薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料中Cr原子的含量为20％。本发明主要特征在于，从(Zn，Cr)Te薄膜的成膜机理出发，优化Zn、Cr以及Te元素蒸发源的温度和分子线强度的比例，增加退火工序，改善Cr原子在ZnTe半导体晶体中的分布，从而使得Cr原子在ZnTe的禁带中的费米面附近形成局部杂质能级，基于分子束外延生长技术获得的薄膜可以增强Cr的3d轨道电子和ZnTe能带中载流子的2重交换作用，提高铁磁性的居里温度Tc至室温300K，可以应用于电子自旋晶体管(spin‑MOSFET)新型电子器件。
一种半导体 zn base sub 80

[发明专利]具有高居里温度的Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族稀磁半导体材料及其制备方法-CN202110063520.7在审
发明人：毋志民;李越;丁守兵;罗一瑛;李可心 -专利权人：重庆师范大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高居里温度的Ⅰ‑Ⅱ‑Ⅴ族稀磁半导体材料，所述稀磁半导体材料是以LiCdAs为本征体，在Cd离子位等价掺杂Mn的多晶材料；是一种可通过电荷与自旋分离调控的新型稀磁半导体。该材料除了居里温度可达318K外，还具有优异的磁电性质，表现出明显的铁磁有序性。本发明的半导体材料制备方法简单，通过在Cd离子位等价掺杂Mn离子克服了化学固溶度的问题；通过Li离子化学计量数的调节可成功调控载流子浓度。当掺杂浓度为6％时，饱和磁矩达3.69μB/Mn，自发磁矩达0.32μB/Mn。材料具有20～40Oe的小矫顽力，且导电性能随掺杂浓度的升高而减弱，电阻率在掺杂浓度为15％时接近30Ω·cm。
具有居里温度族稀磁半导体材料及其制备方法

[发明专利]不含稀土金属的硬磁体-CN201980032490.4在审
发明人： R·施廷肖夫;R·萨胡;C·费尔泽 -专利权人：马克斯·普朗克科学促进学会
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明涉及硬磁体，其包含具有通式组成XaX’bYcZd的金属间化合物，其中X和X’彼此独立地表示具有未成对电子的3d过渡金属；Y是第5、8、9或10族的4d或5d过渡金属；Z是第13、14或15族的主族元素；a和d彼此独立地表示在0.1和2.0之间的数；和b和c彼此独立地表示在0.0和2.0之间的数；使得a+b+c+d在3.0和4.0之间。
稀土金属磁体

[发明专利]一种亚铁磁性半导体LaCu3-CN201811307139.5有效
发明人：龙有文;王潇 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种亚铁磁性半导体，其化学式为LaCu3Fe2Os2O12，空间群为Pn‑3，晶格常数为居里温度为520K，带隙宽度为约0.2eV。本发明还提供了一种制备所述亚铁磁性半导体的方法，包括：(1)将La2O3、Fe2O3、CuO、Os和氧源研磨混合，得到混合物；(2)将混合物填充到金胶囊或铂胶囊中，密封；(3)将金胶囊或铂胶囊置于6～10GPa的压力以及1000～1200℃的温度下进行处理；和(4)将步骤(3)中处理得到的反应产物降温至室温，卸压，然后从金胶囊或铂胶囊中取出，研磨并清洗，从而得到亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12。本发明的亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12在未来的磁性半导体集成电路器件、红外‑远红外传感器件以及多功能集成器件中具有潜在应用价值。
一种亚铁磁性半导体 lacu base sub

[发明专利]一种稀土基磁性斯格明子材料、制备方法及其应用-CN201911236485.3有效
发明人：李领伟;侯志鹏 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种稀土基磁性斯格明子材料、制备方法及其应用，其化学通式为稀土Ra(Mn1‑xGe1+x)bZc，其中R为Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的一种或多种的混合，Z为Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Mg、Si，Sn、Cd中的一种或多种；20≤a≤25，75≤b≤80，0≤x≤0.1，0≤c≤10，a+b+c＝100，a、b、c、x表示原子百分比含量，本发明在20K‑400K温度范围内具有磁性斯格明子结构，而且具有原材料成本低廉、成分可控、是一种理想的基于斯格明子的磁存储和逻辑运算的候选材料，该方法工艺简单、适用于工业化。
一种稀土磁性明子材料制备方法及其应用

[发明专利]具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法-CN201711192940.5有效
发明人：靳常青;于爽;邓正 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明涉及具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法，以及利用该稀磁半导体材料制成的半导体电子器件和包括该半导体电子器件的电子设备。根据一实施例，提供一种具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料，其化学式为Na1+x(Zn1‑yMny)Sb，其中x、y为原子百分比，且0≤x≤0.2，0.05≤y≤0.5。
具有磁阻效应半导体材料及其制备方法

[发明专利]一种磁性半导体材料及其制备方法-CN201711063585.1有效
发明人：靳常青;张俊;望贤成 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种一维磁性半导体材料，其化学式为M
一种磁性半导体材料及其制备方法

[发明专利]调节稀磁半导体磁性能的方法及其制品-CN201910803368.4在审
发明人：袁冶;王新强;康俊杰;李永德;王后锦;周生强 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种调节稀磁半导体磁性能的方法及其制品，本发明的调节方法简单，易于实现，通过He离子束轰击稀磁半导体材料，通过离子束在稀磁半导体材料内部产生电子缺陷而调控材料的费米能级，进而改变材料的磁矩强弱及其居里温度。通过连续改变He离子束的注入通量，材料内部的电子缺陷密度可被自由控制，从而达到连续调控磁性与居里温度的预期目标，而且调节的居里温度与磁矩强度范围宽、调节的变化显著、且适用于大规模产业应用。采用本发明调节稀磁半导体磁性能的方法获得的稀磁半导体制品，可保持良好的单晶外延结构，无条幅分解产生的第二相及其非晶结构出现，并且其居里温度与磁性强度可被连续控制，综合性能好，利于广泛推广应用。
稀磁半导体稀磁半导体材料电子缺陷磁性能离子束磁矩离子束轰击材料内部产业应用单晶外延非晶结构费米能级改变材料连续调控连续控制预期目标自由控制综合性能第二相通量条幅强弱分解调控

[发明专利]一种具有巨大负磁阻效应的铁磁材料及其制备方法-CN201810427556.7在审
发明人：靳常青;韩伟;邓正 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有巨大负磁阻效应的铁磁材料及其制备方法，属于铁磁材料技术领域。其化学通式为Li_y(Cd_1‑xMn_x)P，其中，0.6<y<1.4,0<x<0.4，x，y表示原子百分比含量。其属于空间群为F‑43m的立方晶系，晶格参数变化范围为本发明提供的一种具有巨大负磁阻效应的铁磁材料，具有较宽的载流子调节范围，以及具有可被调控的巨磁阻效应，解决现有技术中载流子浓度调节和巨大负磁阻效应的难以共存的问题。
负磁阻效应铁磁材料载流子巨磁阻效应原子百分比化学通式晶格参数立方晶系浓度调节空间群制备调控

[发明专利]一种N型块材稀磁半导体及其制备方法-CN201910151453.7在审
发明人：宁凡龙;郭胜利;顾轶伦 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型块材稀磁半导体及其制备方法。本发明采用固相反应法，并使用淬火的方法制得N型块材稀磁半导体，该样品具有与ThCr₂Si₂相同的四方的晶体结构，居里温度最高可达到45K。采用淬火方法得到的样品没有正交结构的杂相。获得N型块材稀磁半导体，对稀磁半导体的物理研究以及潜在的应用都有着重要的意义。
稀磁半导体块材淬火制备固相反应法晶体结构物理研究正交结构潜在的应用

[发明专利]氟基铁磁半导体材料及其制备方法-CN201610157611.6有效
发明人：靳常青;陈碧娟;邓正 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种氟基铁磁半导体材料及其制备方法，所述氟基铁磁半导体材料的化学式为(Ba_1‑xK_x)F(Zn_1‑yMn_y)As，其中x和y表示原子含量，且0.05≤x≤0.2，0.025≤y≤0.15。本发明的氟基铁磁半导体材料为块体状、纯度高、稳定性好；载流子类型为空穴型，且具有负磁阻效应。
氟基铁磁半导体材料及其制备方法

[发明专利]镉基铁磁半导体材料及其制备方法-CN201610115621.3有效
发明人：靳常青;陈碧娟;邓正 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种镉基铁磁半导体材料及其制备方法，所述镉基铁磁半导体材料的化学式为(Sr_1‑xNa_x)(Cd_1‑yMn_y)₂As₂，其中x和y表示原子含量，0.03≤x≤0.25，0.03≤y≤0.25。本发明的镉基铁磁半导体材料纯度高、稳定性好、矫顽力小、铁磁转变温度高、具有负磁阻效应。
镉基铁磁半导体材料及其制备方法

[发明专利]具有室温铁磁性的稀磁半导体材料及其制备方法和用途-CN201710329753.0有效
发明人：金立川;洪彩云;张怀武;饶毅恒;唐晓莉;钟智勇;白飞明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：具有室温铁磁性的稀磁半导体材料，包括一锗基片，一锗缓冲层，所述锗缓冲层生长于所述锗基片的表面，以及一锗铁薄膜，所述锗铁薄膜生长于所述锗缓冲层的表面，所述锗铁薄膜的组分为Ge_1‑xFe_x，且x＝0.02‑0.05。本发明同时提供了该材料的制备方法。本发明得到的锗铁薄膜在室温(20℃)时具有铁磁性，饱和磁化强度4πMs在320‑450Gs范围，且导电性能强，电阻率在10^‑3Ω·cm量级，由于其具有半导体和磁性材料的性质，即可以同时调控电子的电荷和自旋两种自由度，并且在室温下就具有铁磁性，在存储、通讯、计算等诸多领域将有极大的应用前景。
具有室温铁磁性半导体材料及其制备方法用途

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