[发明专利]氟基铁磁半导体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610157611.6 | 申请日： | 2016-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN107204225B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 靳常青;陈碧娟;邓正 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;张磊 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氟基铁磁半导体材料及其制备方法，所述氟基铁磁半导体材料的化学式为(Ba1‑xKx)F(Zn1‑yMny)As，其中x和y表示原子含量，且0.05≤x≤0.2，0.025≤y≤0.15。本发明的氟基铁磁半导体材料为块体状、纯度高、稳定性好；载流子类型为空穴型，且具有负磁阻效应。 | ||
| 搜索关键词： | 氟基铁磁 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氟基铁磁半导体材料，其特征在于，所述氟基铁磁半导体材料的化学式为(Ba1‑xKx)F(Zn1‑yMny)As，其中x和y表示原子含量，且0.05≤x≤0.2，0.025≤y≤0.15。
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- 湛永钟;马建波;张广华 - 广西大学
- 2008-11-07 - 2009-09-02 - H01F1/40
- 一种制备稀土掺杂Sn-Te基高致密度块体稀磁半导体材料的方法，采用的原料组分及用量(重量份)为：稀土元素1～10，金属Sn 40～47，金属Te 50～52，按所述原料组分及用量制备所述稀磁半导体材料的方法是：依据稀土-Sn-Te三元合金相图，计算出要制备的稀磁半导体材料的原料配比，然后将所述原料混合均匀；将混匀料真空封装进石英管中，放进高温箱式电阻炉中于500～600℃保温1～3个小时，再用高频炉熔炼，然后把熔炼好的材料研磨成粉末，经高温烧结即得高致密块体稀磁半导体材料。采用本发明制备得的稀磁半导体材料晶粒均匀、纯度高，可用于制作各种功能材料以及功能薄膜的靶材，便于工业化生产。
- p型掺杂CuCrO2基稀磁半导体材料及其制备方法-200810156784.1
- 李达;方晓东;邓赞红;董伟伟;陶汝华 - 中国科学院安徽光学精密机械研究所
- 2008-10-17 - 2009-07-22 - H01F1/40
- 本发明公开了一种p型掺杂CuCrO2基稀磁半导体材料及其制备方法。制备了CuCrO2基稀磁半导体多晶块体，其具有分子结构式CuCr1-xTMxO2，其中TM为过渡金属元素Fe、Co、Ni、Mn，其浓度0≤x≤0.20。按铜、铬和过渡金属的摩尔比为1∶(0.80～1)∶(0～0.20)，称量乙酸铜、硝酸铬及过渡金属盐，将粉末加入到蒸馏水中并加入适量柠檬酸，在室温下进行搅拌至完全溶解，获得混合均匀的溶液；然后经过烘干、研磨、压片及热处理后制得CuCr1-xTMxO2稀磁半导体块体材料。本发明采用溶胶-凝胶法具有能耗低，技术简单等优点。而且溶液内的各组分充分混合，均匀程度可达分子水平，因此可以制备多组分均匀掺杂物，并能够制备一些传统固相法难以得到的产物。实验结果具备可重复性。
- 具有高居里温度的稀磁半导体材料及其制备方法-200810114178.3
- 姜岩峰 - 北方工业大学
- 2008-05-30 - 2009-04-08 - H01F1/40
- 本发明公开了一种具有高居里温度的稀磁半导体材料及其制备方法，首先选择4H-SiC浓度为1016cm-3的衬底材料，并进行预清洁处理；然后向4H-SiC衬底材料中注入浓度为5.1％的Fe离子；之后对Fe离子注入完成后的衬底材料进行HNH退火处理，首先在氢气气氛下300℃退火5分钟，然后在氮气气氛下700℃退火5分钟，随之又在氢气气氛下250℃退火5分钟。得到的稀磁半导体材料具有较高的居里温度，且制备工艺与现有的集成电路制造工艺兼容。具有广阔的应用前景。
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