[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置，即使缩小的分离槽的宽度也不会产生半导体装置的特性恶化以及可靠性欠佳的情况。该半导体装置具有：在第一硅基板(1)上经由氧化硅膜(2)层叠有第二硅基板(3)的基板；形成有元件(栅极(14a)、源极/漏极区域(17))的元件形成区域(R1)；形成有基板接触用开口部(9)的基板接触用开口部区域(R3)；形成有分离第二硅基板(3)上的元件的分离槽(8)的分离槽区域(R2)；在分离槽(8)的表面上形成的氧化硅膜(10)；填充分离槽(8)的多晶硅(11)；贯通基板接触开口部区域(R3)的氧化硅膜(2、18)并通到第一硅基板(1)的底孔(22)；和通过底孔(22)内与第一硅基板(1)连接的布线层(25)。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：在第一半导体基板上经由第一绝缘膜层叠有第二半导体基板的基板；在上述第二半导体基板上形成有元件的元件形成区域；除去上述第二半导体基板而形成开口部的基板接触开口部区域；形成有分离上述第二半导体基板上的元件间的分离槽的分离槽区域；在上述分离槽的表面上形成的第二绝缘膜；填充在上述分离槽中的多晶硅；贯通上述基板接触开口部区域的上述第一绝缘膜并通到上述第一半导体基板的底孔；和在上述底孔内与上述第一半导体基板连接的布线层。