[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

在第一半导体基板上经由第一绝缘膜层叠有第二半导体基板的基板；

在上述第二半导体基板上形成有元件的元件形成区域；

除去上述第二半导体基板而形成开口部的基板接触开口部区域；

形成有分离上述第二半导体基板上的元件间的分离槽的分离槽区域；

在上述分离槽的表面上形成的第二绝缘膜；

填充在上述分离槽中的多晶硅；

贯通上述基板接触开口部区域的上述第一绝缘膜并通到上述第一半导体基板的底孔；和

在上述底孔内与上述第一半导体基板连接的布线层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述底孔，也贯通在上述基板接触开口部区域的上述第一绝缘膜上形成的第三绝缘膜。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

上述底孔为阶梯状。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在第一半导体基板上经由第一绝缘膜层叠有第二半导体基板的基板上，在元件形成区域以外的区域中形成场绝缘膜；

在上述场绝缘膜上形成具有用于形成分离槽及基板接触开口部的图形部的硬质掩模；

除去从上述硬质掩模的上述图形部露出的上述场绝缘膜及上述第二半导体基板，使上述第一绝缘膜露出，形成上述分离槽及上述基板接触开口部；

在上述分离槽及上述基板接触开口部中的至少上述第二半导体基板的表面上，形成第二绝缘膜；

以至少完全填充上述分离槽的方式堆积预定厚度的多晶硅；

将上述多晶硅深腐蚀预定量；

在上述多晶硅的表面上形成绝缘膜后，除去上述硬质掩模；

除去上述基板接触开口部内的至少上述第一绝缘膜，形成通到上述第一半导体基板的底孔；以及

在上述底孔内的上述第一半导体基板上形成布线层。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在除去上述硬质掩模的工序、和形成上述底孔的工序之间，包含：

在上述元件形成区域中形成所希望的元件的工序；和

在基板的全部表面形成层间绝缘膜的工序，

在形成上述底孔的工序中，除去上述基板接触开口部内的上述层间绝缘膜及上述第一绝缘膜，形成通到上述第一半导体基板的底孔的同时，除去上述元件形成区域中的上述层间绝缘膜，形成通到上述元件的底孔。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成上述底孔的工序、和形成上述布线层的工序之间，至少包括在通到上述元件的底孔内形成接触插塞的工序，

在形成上述布线层的工序中，在上述接触插塞上也形成布线层。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成上述底孔的工序中，以使在从上述层间绝缘膜到上述第一绝缘膜之间有底面的方式，除去上述基板接触开口部内的上述层间绝缘膜至上述第一绝缘膜，而形成第一底孔之后，以通到上述第一半导体基板的方式除去上述第一底孔内的从上述层间绝缘膜至上述第一绝缘膜，形成宽度比上述第一底孔小的第二底孔。