[发明专利]半导体电阻及制造该半导体电阻的半导体制程有效
| 申请号： | 200710103404.3 | 申请日： | 2007-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101051654A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 蒋秋志;黄志丰 | 申请（专利权）人： | 崇贸科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/86 | 分类号： | H01L29/86;H01L27/04;H01L21/02;H01L21/822 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 台湾省231台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体电阻及制造所述半导体电阻的半导体制程。所述半导体电阻包含一基板、一深井、至少二接触区以及一掺杂区。所述基板是用第一型离子掺杂。所述深井是用第二型离子掺杂，且形成在基板中。接触区是用第二型离子重掺杂，且形成在所述深井中。掺杂区是用第一型离子掺杂，且与所述深井分离一距离。其中，第一型离子及第二型离子是为互补，且所述深井与所述掺杂区间的距离可用以调整崩溃电压。此外，所述半导体制程包含以下步骤：形成一含有第一型离子的深井；形成一含有第二型离子的掺杂区；形成一氧化层；以及在所述深井中形成含有第一型离子的至少二接触区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电阻 制造 | ||
【主权项】：
1.一种具有一崩溃电压的半导体电阻，其特征在于，包含：一基板，是用第一型离子掺杂；一深井，是用第二型离子掺杂，且形成在所述基板中；至少二接触区，是用所述第二型离子重掺杂，且形成在所述深井中；以及一掺杂区，是用所述第一型离子掺杂，且与所述深井分离一距离；其中，所述第一型离子及所述第二型离子是为互补，且所述深井与所述掺杂区间的距离调整所述崩溃电压。
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