[发明专利]半导体电阻及制造该半导体电阻的半导体制程

说明书

技术领域

本发明是关于一种半导体电阻及制造该半导体电阻的半导体制程，更详细 地说，是关于一具有高崩溃电压的半导体电阻及制造该半导体电阻的半导体制 程。

背景技术

在半导体电路上制造的电阻通常是借由基板中所形成的一深井而形成。请 参照图1以及图2，图1是为现有的半导体电阻1的俯视图，图2是绘示沿图 1的A-A断面线实质上所取得的半导体电阻1的部分的侧视断面图。半导体电 阻1包含—P型基板10、—N型深井11以及一使用p型离子掺杂的掺杂区12。 与N型深井11相邻的掺杂区12可用以确保半导体电阻1的崩溃电压在一固定 值。

然而，为了改进半导体电阻1的崩溃电压，现有的作法是减少N型深井 11的离子浓度。因此，必须利用额外的掩模及制程来制造具有减少离子浓度的 半导体电阻1，此将会增加制造成本。同时，利用上述现有做法制造的半导体 电阻1会具有大的偏异量(variation)及较大的电压系数(voltage coefficient)。

综上所述，改进半导体电阻的高崩溃电压而无需额外掩模和制程来增加成 本即为此产业需要努力及改善的目标。

发明内容

本发明的一目的是在于提供一种具有一崩溃电压的半导体电阻。该半导体 电阻包含一基板、一深井、至少二接触区以及一掺杂区。该基板是用第一型离 子掺杂。该深井是用第二型离子掺杂，且形成在该基板中。接触区是用第二型 离子重掺杂，且形成在深井中。掺杂区是用第一型离子掺杂，且与该深井分离 一距离。第一型离子及第二型离子是为互补，且调整该深井与该掺杂区间的距 离可调整该崩溃电压。

本发明的另一目的在于提供一种用于形成半导体电阻的半导体制程。该半 导体制程包含下列步骤：形成一含有第一型离子的深井；形成一含有第二型离 子的掺杂区；形成一氧化层；以及在深井中形成含有第一型离子的至少二接触 区。其中，第一型离子及第二型离子是为互补，这些接触区其中之一的离子浓 度是高于该深井中的离子浓度，且该掺杂区与该深井是分离—距离。

由于采用以上技术方案，本发明提供的一种借由一距离与一深井分离的掺 杂区，用以增加半导体电阻的崩溃电压。并且，掺杂区与深井间的距离可调整 崩溃电压。此外，本发明无需额外掩模及制程并可减少成本。

在参阅附图及随后描述的实施方式后，该技术领域的技术人员便可了解本 发明的其他目的，以及本发明的技术手段及实施形态。

附图说明

图1为现有半导体电阻的俯视图；

图2为现有半导体电阻的断面图；

图3为本发明第一实施例的俯视图；

图4为本发明第一实施例的断面图；以及

图5为本发明第二实施例的流程图。

具体实施方式

本发明的第一实施例是为图3及图4所绘示的半导体电阻3。图3绘示半 导体电阻3的俯视图，且图4是绘示沿图3的B-B断面线实质上所取得的半导 体电阻3的部分的侧视断面图。半导体电阻3包含—P型基板31，—N型深 井32，二接触区33、34，一掺杂区35以及二电极36，37。P型基板31是用p 型离子掺杂。N型深井32是用n型离子掺杂，且形成在P型基板31中。接触 区33、34是用n型离子重掺杂，且形成在N型深井32中。掺杂区35是用p 型离子掺杂，且与N型深井32分离一距离W。电极36、37分别连接至接触区 33、34。

而前段所述的半导体电阻3的参数如下所示。N型深井32的离子浓度的 范围是从每平方厘米1E12至每平方厘米5E 13，N型深井32的深度的范围是为 2至10微米，各个接触区33、34的离子浓度的范围是从每平方厘米1E15至每 平方厘米5E16，掺杂区35的离子浓度的范围是从每平方厘米1E12至每平方厘 米3E13，掺杂区35的深度的范围是为1至5微米，距离W的范围则为0至 20微米。

N型深井32与掺杂区35间的距离W可用以调整半导体电阻3的崩溃电压。 当距离W增加时，崩溃电压亦会增加。在每一区的离子浓度及深度确定的条件 下，当距离W超过一预定值时，崩溃电压会停止增加。