[发明专利]半导体电阻及制造该半导体电阻的半导体制程

权利要求书

1.一种具有一崩溃电压的半导体电阻，其特征在于，包含：

一基板，是用第一型离子掺杂；

一深井，是用第二型离子掺杂，且形成在所述基板中；

至少二接触区，是用所述第二型离子重掺杂，且形成在所述深井中； 以及

一掺杂区，是用所述第一型离子掺杂，所述掺杂区环绕所述深井且与 所述深井分离一距离；

其中，所述二接触区适可以作为所述半导体电阻的二端点，以分别连 接二电极，且所述二接触区是与所述掺杂区呈电性隔离，所述第一型离子 及所述第二型离子是为互补，且在一预设值内，所述深井与所述掺杂区间 的距离增加，适可增加所述崩溃电压。

2.如权利要求1所述的半导体电阻，其特征在于，当所述距离超过所述预设 值时，所述崩溃电压停止增加。

3.如权利要求1所述的半导体电阻，其特征在于，所述深井的离子浓度范围 是从每平方厘米1E12至每平方厘米5E13。

4.如权利要求1所述的半导体电阻，其特征在于，所述深井的深度范围是为 2至10微米。

5.如权利要求1所述的半导体电阻，其特征在于，各所述接触区的离子浓度 范围从每平方厘米1E15至每平方厘米5E16。

6.如权利要求1所述的半导体电阻，其特征在于，所述掺杂区的离子浓度范 围从每平方厘米1E12至每平方厘米3E13。

7.如权利要求1所述的半导体电阻，其特征在于，所述掺杂区的深度范围是 为1至5微米。

8.如权利要求1所述的半导体电阻，其特征在于，所述距离的范围是为0至 20微米。

9.一种用于形成一半导体电阻的半导体制程，其特征在于，包含以下步骤：

形成一含有第一型离子的深井；

形成一含有第二型离子的掺杂区，以环绕所述深井；

形成一氧化层；以及

在所述深井中形成含有所述第一型离子的至少二接触区，适可以作为 所述半导体电阻的二端点，以分别连接二电极，且所述二接触区是与所述 掺杂区呈电性隔离；

其中，所述第一型离子及所述第二型离子是为互补，所述接触区其中 之一的离子浓度是高于所述深井中的离子浓度，且所述掺杂区与所述深井 是分离一距离。

10.如权利要求9所述的半导体制程，其特征在于，所述形成深井的步骤还包 含以下步骤：

在摄氏1000至1200度下热驱入6至12小时。

11.如权利要求9所述的半导体制程，其特征在于，所述形成掺杂区的步骤还 包含以下步骤：

在摄氏1000至1200度下热驱入6至12小时。