[发明专利]可补偿不同形式封装的尺寸差异的晶片级封装无效
申请号: | 200710096101.3 | 申请日: | 2007-04-13 |
公开(公告)号: | CN101179056A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
发明(设计)人: | 梁胜宅;郑冠镐 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/482 | 分类号: | H01L23/482;H01L23/04;H01L23/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种晶片级封装,包括在其前表面具有多个焊接垫的半导体芯片;下绝缘层,在半导体芯片上形成,使得焊接垫暴露;在下绝缘层上形成的重新分布线,该重新分布线的第一末端与焊接垫连接;上绝缘层,在包括重新分布线的下绝缘层上形成,其中部分的重新分布线暴露;焊锡球,附着在重新分布线暴露的部分;以及盖,覆盖于半导体芯片后表面。 | ||
搜索关键词: | 补偿 不同 形式 封装 尺寸 差异 晶片 | ||
【主权项】:
1.一种晶片级封装,其中包含:半导体芯片,在其前表面上具有多个焊接垫;下绝缘层,在所述半导体芯片上形成,使得焊接垫暴露;重新分布线,在所述下绝缘层上形成,且所述重新分布线的第一末端与焊接垫连接;上绝缘层,在包括所述重新分布线的所述下绝缘层上形成,且部分所述重新分布线暴露;焊锡球,附着到所述重新分布线暴露的部分;以及盖,覆盖于所述半导体芯片的后表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司,未经海力士半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710096101.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:在即时通信中显示多方视频的方法及装置
- 下一篇:密封电池的安全阀