[发明专利]可补偿不同形式封装的尺寸差异的晶片级封装无效
申请号: | 200710096101.3 | 申请日: | 2007-04-13 |
公开(公告)号: | CN101179056A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
发明(设计)人: | 梁胜宅;郑冠镐 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/482 | 分类号: | H01L23/482;H01L23/04;H01L23/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 补偿 不同 形式 封装 尺寸 差异 晶片 | ||
1.一种晶片级封装,其中包含:
半导体芯片,在其前表面上具有多个焊接垫;
下绝缘层,在所述半导体芯片上形成,使得焊接垫暴露;
重新分布线,在所述下绝缘层上形成,且所述重新分布线的第一末端与焊接垫连接;
上绝缘层,在包括所述重新分布线的所述下绝缘层上形成,且部分所述重新分布线暴露;
焊锡球,附着到所述重新分布线暴露的部分;以及
盖,覆盖于所述半导体芯片的后表面。
2.根据权利要求1的封装,其中所述盖的表面上具有沟槽,该沟槽可与半导体芯片接触,使得半导体芯片能够插入沟槽中。
3.根据权利要求2的封装,其中所述盖的尺寸与半导体芯片相似。
4.根据权利要求1的封装,其中所述盖由热导材料构成。
5.根据权利要求4的封装,其中所述盖由金属构成。
6.根据权利要求1的封装,其中所述盖以及半导体芯片通过粘合剂彼此结合。
7.根据权利要求5的封装,其中所述粘合剂由导热物质所形成。
8.根据权利要求1封装,其中所述盖以及半导体芯片彼此机械结合。
9.根据权利要求8的封装,其中所述盖以及半导体芯片通过滑动型结合而结合。
10.根据权利要求9的封装,其中所述盖在其一个表面上定义沟槽,其中沟槽的尺寸与半导体芯片相似,且在其一侧壁敞开,而半导体芯片通过所述盖的敞开侧壁可滑动地安装到所述沟槽中,并固定地位于所述沟槽中。
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