[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200710088698.7 | 申请日： | 2007-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101038920A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 柯志欣;李文钦;葛崇祜;陈宏玮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/088;H01L27/12;H01L27/02;H01L21/82;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/84 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该方法以扩散地形程序(diffusion topography engineering，DTE)形成半导体结构。首先在半导体基板中形成沟槽隔离区以定义扩散区。在含氢环境下，对半导体基板进行DTE程序，且在扩散区上形成MOS元件。DTE程序造成硅迁移，形成圆形或T形的扩散区表面。此方法更可包括在进行DTE程序前，使扩散区的一部分形成凹陷。在DTE程序后，此扩散区形成倾斜表面。本发明能够改善各MOS元件内部的应力，从而提高元件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：基板，包括第一扩散区及第二扩散区，该第一扩散区有大抵圆弧的第一表面，该第二扩散区有大抵圆弧的第二表面；第一MOS元件在该第一扩散区上；第二MOS元件在该第二扩散区上；第一应力介电层在该第一MOS元件上；以及第二应力介电层在该第二MOS元件上，其中该第一及第二应力介电层具有实质上不同的应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
