[发明专利]堆栈结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200710085521.1 | 申请日： | 2007-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101159260A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 吴文进;邱文智;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/00;H01L21/50 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种堆栈结构及其形成方法，包含：第一芯片，在第一表面上定义有第一芯片区，至少一个第一保护结构形成于所述第一表面上而围绕所述第一芯片区，所述第一保护结构的至少一侧具有至少一个第一延伸部，所述第一延伸部横越围绕所述第一保护结构的第一切割道；以及第二芯片连接于所述第一芯片的上方，在第二表面上定义有第二芯片区，至少一个第二保护结构形成于所述第二表面上而围绕所述第二芯片区，所述第二保护结构的至少一侧具有至少一个第二延伸部，所述第二延伸部横越围绕所述第二保护结构的第二切割道，其中所述第一延伸部连接所述第二延伸部。本发明不仅能减少基底上芯片图形的加工成本，还使得可以容易地连接两个对应基底上的对应保护结构。 | ||
| 搜索关键词： | 堆栈 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种堆栈结构，其特征在于，包含：第一芯片，在其第一表面上定义有第一芯片区，至少一个第一保护结构形成于所述第一表面上而围绕所述第一芯片区，所述第一保护结构的至少一侧具有至少一个第一延伸部，所述第一延伸部横越围绕所述第一保护结构的第一切割道；以及第二芯片，位于所述第一芯片的上方并与其连接，在其第二表面上定义有一个第二芯片区，至少一个第二保护结构形成于所述第二表面上而围绕所述第二芯片区，所述第二保护结构的至少一侧具有至少一个第二延伸部，所述第二延伸部横越围绕所述第二保护结构的第二切割道，其中所述第一延伸部连接所述第二延伸部。
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