[发明专利]堆栈结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 200710085521.1 申请日: 2007-03-07
公开(公告)号: CN101159260A 公开(公告)日: 2008-04-09
发明(设计)人: 吴文进;邱文智;余振华 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/00;H01L21/50
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 堆栈 结构 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种堆栈结构,其特征在于,包含:

第一芯片,在其第一表面上定义有第一芯片区,至少一个第一保护结构形成于所述第一表面上而围绕所述第一芯片区,所述第一保护结构的至少一侧具有至少一个第一延伸部,所述第一延伸部横越围绕所述第一保护结构的第一切割道;以及

第二芯片,位于所述第一芯片的上方并与其连接,在其第二表面上定义有一个第二芯片区,至少一个第二保护结构形成于所述第二表面上而围绕所述第二芯片区,所述第二保护结构的至少一侧具有至少一个第二延伸部,所述第二延伸部横越围绕所述第二保护结构的第二切割道,其中所述第一延伸部连接所述第二延伸部。

2.如权利要求1所述的堆栈结构,其特征在于,所述第一保护结构与所述第二保护结构的至少其中之一包含多个环状物。

3.如权利要求2所述的堆栈结构,其特征在于,所述环状物的至少一侧包含至少一个第三保护结构,所述第三保护结构连接所述环状物。

4.如权利要求2所述的堆栈结构,其特征在于,所述环状物包含至少一个第三保护结构,所述第三保护结构连接所述环状物的角落。

5.如权利要求4所述的堆栈结构,其特征在于,所述第三保护结构包含一个数组,所述数组具有多个开口,且所述开口中的至少其中之一具有圆角。

6.如权利要求2所述的堆栈结构,其特征在于,所述环状物的至少其中之一具有填料在其一角。

7.一种堆栈结构,其特征在于,包含:

第一芯片,在其第一表面上定义有第一芯片区,至少一个第一保护结构位于所述第一表面上而围绕所述第一芯片区;以及

第二芯片,位于所述第一芯片的上方并与其连接,在其第二表面上定义有第二芯片区,至少一个第二保护结构位于所述第二表面上而围绕所述第二芯片区,其中所述第一保护结构与所述第二保护结构的至少其中之一包含多个环状物,所述环状物的至少一侧包含至少一个第三保护结构,所述第三保护结构与所述环状物中至少其中之二连接。

8.如权利要求7所述的堆栈结构,其特征在于,所述环状物中的一个外侧环状物的宽度大于所述环状物中的一个内侧环状物。

9.如权利要求7所述的堆栈结构,其特征在于,所述环状物包含至少一个第四保护结构,所述第四保护结构连接所述环状物的角落。

10.如权利要求9所述的堆栈结构,其特征在于,所述第四保护结构包含一个数组,所述数组具有多个开口,且所述开口中的至少其中之一具有圆角。

11.如权利要求7所述的堆栈结构,其特征在于,所述环状物的至少其中之一具有填料于其一角。

12.一种堆栈结构的形成方法,其特征在于,包含:

形成多个第一芯片位于第一基底的第一表面上,所述第一芯片的至少其中之一包含第一芯片区,至少一个第一保护结构围绕所述第一芯片区,所述第一保护结构的至少一侧具有至少一个第一延伸部,所述第一延伸部横越围绕所述第一保护结构的第一切割道;

形成多个第二芯片位于第二基底的第二表面上,所述第二芯片的至少其中之一包含第二芯片区,至少一个第二保护结构围绕所述第二芯片区,所述第二保护结构的至少一侧具有至少一个第二延伸部,所述第二延伸部横越围绕所述第一保护结构的第二切割道;

连接所述第一基底的所述第一表面与所述第二基底的所述第二表面,因而连接所述第一延伸部与所述第二延伸部;

薄化所述第一基底与所述第二基底的至少其中之一;以及

分割所述第一基底与连接于其上的所述第二基底。

13.如权利要求12所述的堆栈结构的形成方法,其特征在于,所形成的所述第一保护结构与所述第二保护结构至少其中之一具有多个环状物。

14.如权利要求13所述的堆栈结构的形成方法,其特征在于,该方法进一步包含:形成至少一个第三保护结构,其连接所述环状物的至少一侧,以与所述环状物连接。

15.如权利要求13所述的堆栈结构的形成方法,其特征在于,该方法进一步包含:形成至少一个第三保护结构于所述环状物的角落,以与所述环状物连接。

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