[发明专利]半导体晶粒封装用引线框架之结构改良无效
| 申请号： | 200710077620.5 | 申请日： | 2007-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101231981A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 陈庆丰 | 申请（专利权）人： | 贵阳华翔半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 550022贵州省贵阳市国*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本创作系针对一般半导体晶粒封装用引线框架之散热性较差而加以突破改良，其系在该引线框架结构上，将压焊引脚与晶粒座直接联接，使晶粒热量不仅透过与晶粒座的接触及风扇进行散热，且更透过与压焊引脚的直接接触来进行热传导动作，具较佳的散热性，另在MCM(多晶粒模块)结构的半导体器件中，针对以往无法实现的高发热功率器件，透过本创作可以用与以往标准相同的封装尺寸实现，同时对使用同样的发热组件而言，因提高散热效率而使工作温度降低，进而提高器件的可靠性等级，且可以透过寻求晶粒座的尺寸最适化，为更有效的利用铜资源做出贡献，具有大而广的实用效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶粒 封装 引线 框架 结构 改良 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶粒封装用引线框架之结构改良，其特征在于：其系在引线框架结构上，将压焊引脚与晶粒座直接联接，使晶粒热量不仅透过与晶粒座的接触及风扇进行散热，且更透过与压焊引脚的直接接触来进行热传导动作，另将该压焊引脚的宽度增大，增加与晶粒座接触的面积，可迅速达到散热效果，具有较佳的散热性。
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