[发明专利]化学气相沉积成膜用组合物及生产低介电常数膜的方法无效
申请号: | 200680042613.5 | 申请日: | 2006-11-15 |
公开(公告)号: | CN101310038A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | 熊田辉彦;信时英治;保田直纪;山本哲也;中谷泰隆;神山卓也 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本触媒 |
主分类号: | C23C16/38 | 分类号: | C23C16/38;H01L21/314;H01L21/768;H01L23/522 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种包含由化学式1表示的环硼氮烷化合物的化学气相沉积成膜用组合物,其满足以下至少一个条件:所述组合物中各种卤素原子的含量为100ppb以下的条件,或所述组合物中各种金属元素的含量为100ppb以下的条件。在化学式1中,R1可以相同或不同,其为氢原子、烷基、烯基或炔基,其至少之一为氢原子;R2可以相同或不同,其为氢原子、烷基、烯基或炔基,其至少之一为烷基、烯基或炔基。通过使用该组合物,可改进由含环硼氮烷环的化合物生产的薄膜的物理性质如低介电常数性和机械强度。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 成膜用 组合 生产 介电常数 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种化学气相沉积成膜用组合物,其包括由化学式1表示的环硼氮烷化合物,在该组合物中的各种卤素的含量为100ppb以下;[化学式1]
其中,R1独立地表示氢原子、烷基、烯基或炔基,其至少之一为氢原子;R2独立地表示氢原子、烷基、烯基或炔基,其至少之一为烷基、烯基或炔基。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的