[发明专利]半导体集成电路有效
| 申请号： | 200680028484.4 | 申请日： | 2006-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101238641A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 炭田昌哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H01L21/822;H01L27/04;H03K19/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陆弋;王诚华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体集成电路(1)，包括衬底电压控制电路(10A)、漏极电流调节器(E1)、MOS器件特性检测电路(20)和漏极电流补偿器(E2)。衬底电压控制电路(10A)至少具有一个用于控制半导体集成电路(1)的衬底电压供给的衬底电压供给MOS器件(m1)。漏极电流调节器(E1)通过控制衬底电压供给MOS器件(m1)的衬底电压，来调节衬底电压供给MOS器件(m1)的漏极电流。MOS器件特性检测电路(20)具有用于检测衬底电压供给MOS器件(m1)的特性的特性检测器件(m2)。漏极电流补偿器(E2)通过根据MOS器件特性检测电路(20)所检测的衬底电压供给MOS器件(m1)的特性，控制衬底电压供给MOS器件(m1)的衬底电压，来校正衬底电压供给MOS器件(m1)的漏极电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路，包括：至少包括用于供给衬底电压的MOS元件的衬底电压控制电路，用于控制所述半导体集成电路的衬底电压的供给；漏极电流设定器，用于通过控制所述用于供给衬底电压的MOS元件的衬底电压，来调节所述用于供给衬底电压的MOS元件的漏极电流；包括特性检测元件的MOS元件特性检测电路，用于检测所述用于供给衬底电压的MOS元件的特性；和漏极电流校正器，用于通过根据所述MOS元件特性检测电路所检测的所述用于供给衬底电压的MOS元件的特性，控制所述用于供给衬底电压的MOS元件的衬底电压，来校正所述用于供给衬底电压的MOS元件的漏极电流。
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