[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200610164029.9 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1979841A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 吴仓聚;章勋明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制造方法，其中该半导体结构包括：一基底；一第一低介电常数介电层，其覆盖该基底，包括一第一区以及一第二区；多个导电构件，其位于该低介电常数介电层内；一上盖层，其位于所述导电构件的至少一部分上；以及一介电上盖层，其覆盖该第一低介电常数介电层的第二区上，且未设置于该第一区，其中位于该第二区内的所述导电构件比位于该第一区内的所述导电构件的间距更宽。该介电上盖层优选具有一固有压缩应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体结构，包括：一基底；一第一低介电常数介电层，其覆盖该基底，包括一第一区以及一第二区；多个导电构件，其位于该第一低介电常数介电层内；一上盖层，其位于所述导电构件的至少一部分上；以及一介电上盖层，其覆盖该第一低介电常数介电层的第二区上且未设置于该第一低介电常数介电层的第一区，其中位于该第二区内的所述导电构件比位于该第一区内的所述导电构件具有更宽的间距。
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